Development of transparent diodes using oxide semiconductors and these applications to energy harvesting circuits
Development of transparent diodes using oxide semiconductors and these applications to energy harvesting circuits
批准号:
16K06327
负责人:
MAEMOTO TOSHIHIKO
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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酸化亜鉛を用いたMIS型セルフスイッチングダイオードの作製と評価
氧化锌MIS型自开关二极管的制作与评价
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[孫 航, 陳 春平, 勝野絵梨香, 穴田哲夫, 武田重喜, 熊谷敏宏,大浦紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦, 寺田一真,萩原佳史,小寺正敏, 松田 宗平,永山 幸希,孫 屹,小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦,葛西 誠也]
通讯作者:
松田 宗平,永山 幸希,孫 屹,小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦,葛西 誠也
大阪工業大学 工学部 電気電子システム工学科 新機能複合材料デバイス研究室
大阪工业大学工学部电气电子系统工学科新型功能复合材料器件实验室
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
溶液法により形成したAl添加ZnO-TFTの特性評価と基板依存性
溶液法形成的Al掺杂ZnO-TFT的特性评估和基板依赖性
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shota Nishimura, Takuya Kawamoto, Masatoshi Kotera, 藤原壮大,金子豊和,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦, Ryuichi Katayama and Satoshi Sugiura, 大浦 紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦]
通讯作者:
大浦 紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
溶液法により形成した高抵抗AZO薄膜をバッファ層に用いたAZO積層薄膜トランジスタの作製と評価
以溶液法形成的高阻AZO薄膜为缓冲层的AZO多层薄膜晶体管的制作与评价
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kazumasa Terada1, Taiki Nishino, Taku Noda, Masatoshi Kotera, 木村 史哉,佐々木 祥太, 孫 屹, 小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦]
通讯作者:
木村 史哉,佐々木 祥太, 孫 屹, 小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦
塗布プロセスによる酸化亜鉛系薄膜トランジスタの作製と評価 -プリンテッドエレクトロニクス応用を目指して-
使用涂层工艺制造和评估氧化锌薄膜晶体管 - 针对印刷电子应用 -
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[勝野絵梨香, 謝 成龍, 陳 春平, 張 沢君, 穴田哲夫, 武田重喜, 佐々木 祥太,木村 史哉,大浦 紀頼,孫 屹,小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦]
通讯作者:
佐々木 祥太,木村 史哉,大浦 紀頼,孫 屹,小山 政俊,前元 利彦,佐々 誠彦
共 31 条
Fabrication of new structure transistors using III-V Semiconductors/High-k materials on Si substrates
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批准号:23560422
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2011
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负责人:MAEMOTO TOSHIHIKO
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依托单位: