Fabrication of new structure transistors using III-V Semiconductors/High-k materials on Si substrates

在硅衬底上使用 III-V 半导体/高 k 材料制造新结构晶体管

• 批准号: 23560422
• 负责人: MAEMOTO TOSHIHIKO
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Osaka Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560422/
• 关键词: 化合物半導体; MOSFET; 半導体ヘテロ構造; トランジスタ; インジウムヒ素; 高誘電率ゲート; 高速・低消費電力素子; InAs; ヘテロ接合トランジスタ; III-V MOSFET; High-kゲート; セルフスイッチングダイオード; 高速・低消費電力; InAsヘテロ構造; High-kゲート絶縁膜

Growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and the characterization of antimonide-based composite-channel InAs MOSFETs are reported. Antimonide-based compound semiconductors such as those of InAs combined with AlGaSb are candidates for high-speed and low-power digital applications. InAs/AlGaSb MOSFETs utilizing high-k (HfO2) gate insulator were fabricated using a Ni/Au ohmic metallization. Low contact resistance using Ni/Au ohmic metal and annealing in N2 for 60 seconds. The transconductance gm of 414 mS/mm was obtained for the MOSFET with gate length of 1um.

报道了用分子束外延技术生长InAs/AlGaSb异质结和锑化物基复合沟道InAs MOSFET的特性。基于锑的化合物半导体，例如InAs与AlGaSb组合的化合物半导体，是高速和低功率数字应用的候选者。采用Ni/Au欧姆金属化工艺制备了高k（HfO 2）栅绝缘层InAs/AlGaSb MOSFET。使用Ni/Au欧姆金属和在N2中退火60秒的低接触电阻。栅长为1 μ m的MOSFET器件的最大漏电流为414 mS/mm。

项目成果

InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作

使用 InAs/AlGaSb 异质结构和高介电常数栅极材料的分子束外延生长制造 HFET

• 发表时间: 2013
• 作者: 森口航平;西坂和一;前元利彦;尾形健一;佐々誠彦
• 通讯作者: 佐々誠彦

Electron transport properties in self switching nano-diodes

自开关纳米二极管的电子传输特性

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Kiso;K. Nishisaka;T. Maemoto;S. Sasa;S. Kasai;M. Inoue
• 通讯作者: M. Inoue

Fabrication and Characterization of Antimonide-Based Composite-Channel InAs/AlGaSb HFETs using High-k Gate Insulators

使用高 k 栅极绝缘体的锑基复合沟道 InAs/AlGaSb HFET 的制造和表征

• 发表时间: 2011
• 期刊: Proceedings of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices
• 作者: T. Kiso;H. Yoshikawa;Y. Ishibashi;K. Nishisaka;K. Ogata;T. Maemoto;S. Sasa;M. Inoue
• 通讯作者: M. Inoue

Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal

通过分子束外延生长 InAs/AlGaSb 异质结构以及使用 Ni/Au 合金欧姆金属制造 InAs HFET

• 发表时间: 2013
• 作者: K. Moriguchi;T.Maemoto;K. Ogata;S.Sasa
• 通讯作者: S.Sasa

高性能酸化亜鉛系 FET と酸化物デバイス応用の広がり

扩大高性能氧化锌 FET 和氧化物器件的应用

• 发表时间: 2012
• 期刊: 電子情報通信学会誌
• 作者: Tomonori Morita;Futoshi Kuroki;西村一輝,金澤潤,鹿子嶋憲一,武田茂樹;満保雅浩;佐々誠彦，矢野満明，前元利彦，小池一歩，尾形健一
• 通讯作者: 佐々誠彦，矢野満明，前元利彦，小池一歩，尾形健一