Development of crystal-grain enlarging process for ultra-fine Cu wiring by strain-energy driving
Development of crystal-grain enlarging process for ultra-fine Cu wiring by strain-energy driving
应变能驱动超细铜布线晶粒放大工艺的开发
批准号：
16K06793
负责人：
SASAJIMA Yasushi
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Nano-Structure-Controlled Very Low Resistivity Cu Wires Formed by High Purity and Optimized Additives
由高纯度和优化添加剂形成的纳米结构控制的极低电阻率铜线
由高纯度和优化添加剂形成的纳米结构控制的极低电阻率铜线
DOI：
10.1109/jeds.2018.2808494
发表时间：
2018
期刊：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
影响因子：
2.3
作者：
[Onuki Jin, Tamahashi Kunihiro, Inami Takashi, Nagano Takatoshi, Sasajima Yasushi, Ikeda Shuji]
通讯作者：
Ikeda Shuji
銅極細配線における粒成長を阻害する不純物効果のフェーズフィールドシミュレーション
抑制超细铜互连中晶粒生长的杂质效应的相场模拟
抑制超细铜互连中晶粒生长的杂质效应的相场模拟
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤菜々子, 渡辺宏紀, 稲葉知大, 尾花望, 宮野泰征, 野村暢彦, 篠嶋 妥，大貫 仁]
通讯作者：
篠嶋 妥，大貫 仁
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yasushi Sasajima , Takatoshi Nagano and Jin Onuki]
通讯作者：
Takatoshi Nagano and Jin Onuki
Effects of Electroplating at Lower Leveler and Suppressor Contents on the Formation of Very Low Resistivity Narrow Cu Interconnects
较低整平剂和抑制剂含量的电镀对极低电阻率窄铜互连形成的影响
较低整平剂和抑制剂含量的电镀对极低电阻率窄铜互连形成的影响
DOI：
10.1149/2.0991904jes
发表时间：
2019
期刊：
Journal of The Electrochemical Society
影响因子：
3.9
作者：
[Miyamoto Ryo, Tamahashi Kunihiro, Inami Takashi, Sasajima Yasushi, Onuki Jin]
通讯作者：
Onuki Jin