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Crystal Growth of N-polar Nitride Semiconductor Heterostructures with Two-Dimensional Electron Gas

Crystal Growth of N-polar Nitride Semiconductor Heterostructures with Two-Dimensional Electron Gas
二维电子气N极氮化物半导体异质结构的晶体生长
批准号：
16H03857
负责人：
Matsuoka Takashi
金额：
$10.4万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H03857/
关键词：
窒化物半導体極性有機金属気相成長分極効果HEMT高電子移動度トランジスタGaN有機金属気相成長法N極性ヘテロ構造

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MOVPE growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface
在小切边基板上 MOVPE 生长 N 极 GaN/AlGaN/GaN 异质结构以实现平坦界面
DOI： 10.1109/iciprm.2016.7528837
发表时间： 2016
期刊： 2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016
影响因子： --
作者： [K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, T. Matsuoka]
通讯作者： T. Matsuoka
Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
生长条件对有机金属气相外延生长的未掺杂 N 极 (000-1) GaN 输运特性的影响
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka]
通讯作者： and T. Matsuoka
Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach
III 族氮化物的外延生长：计算方法
DOI： 10.1007/978-3-319-76641-6
发表时间： 2018
期刊： Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds
影响因子： --
作者： [Y. Kawazoe, T. Matsuoka, Y. Kangawa]
通讯作者： Y. Kangawa
Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-Polar GaN HEMTs
N 极 GaN HEMT 中反向偏置引起的虚拟栅极现象
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Suemitsu, K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, and T. Matsuoka]
通讯作者： and T. Matsuoka
共 20 条
    Elucidation of stress transmission to inter-implant bone by application of FEA and CAD / CAM technology
    • 批准号：
      18K17088
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $1.25万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Matsuoka Takashi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Cross-Sectional Imaging of Boundary Lubrication Layer Formed by Additives and Its Sliding Properies in Narrow Gap
    • 批准号：
      26289030
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.73万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Matsuoka Takashi
    • 依托单位：
      Doshisha University
    海外基金