Development of simulator of crystal growth based on multi-physics
Development of simulator of crystal growth based on multi-physics
基于多物理场的晶体生长模拟器的研制
批准号：
16H03859
负责人：
KAKIMOTO KOICHI
金额：
$10.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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INFLUENCE OF CARRIER CONCENTRATION ON BULK LIFETIME IN CZ-SI CRYSTAL
载流子浓度对 CZ-SI 晶体块体寿命的影响
载流子浓度对 CZ-SI 晶体块体寿命的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Liang Xiao, 並木宏允, 村瀬正恭, 笹川崇男, K. Kakimoto]
通讯作者：
K. Kakimoto
ANALYSIS OF RE-MELTING PROCESS OF SILICON GROWN BY TRANSVERSE MAGNETIC FIELD APPLIED CZ METHOD
横向磁场直拉法生长硅重熔过程分析
横向磁场直拉法生长硅重熔过程分析
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[矢野力三, 津村公平, 廣瀬陽代, 小柳正男, 柏谷裕美, 浅野泰寛, 笹川崇男, 柏谷聡, K. Kakimoto]
通讯作者：
K. Kakimoto
Crystal Growth of Power Devices
功率器件的晶体生长
功率器件的晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka, Koichi Kakimoto]
通讯作者：
Koichi Kakimoto
Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals
CZ-Si晶体中碳浓度与载流子寿命的关系
CZ-Si晶体中碳浓度与载流子寿命的关系
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.01.020
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Miyamura Y., Harada H., Nakano S., Nishizawa S., Kakimoto K.]
通讯作者：
Kakimoto K.
結晶成長における実験とシミュレーションのシナジー効果：欠陥をどこまで予測可能か
晶体生长中实验和模拟的协同效应：缺陷可以预测到什么程度？
晶体生长中实验和模拟的协同效应：缺陷可以预测到什么程度？
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[介川裕章, 三谷誠司, 柿本 浩一]
通讯作者：
柿本 浩一
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