Formation of silicon/germanium photonics platform using bulk silicon wafers
Formation of silicon/germanium photonics platform using bulk silicon wafers
使用体硅晶圆形成硅/锗光子平台
批准号：
16H03880
负责人：
Ishikawa Yasuhiko
金额：
$11.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Thin SiO2 under-cladding layer for SiNx optical waveguides on bulk Si substrate
体硅衬底上 SiNx 光波导的薄 SiO2 下包层
体硅衬底上 SiNx 光波导的薄 SiO2 下包层
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryota Oyamada, Motoki Yako, and Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者：
and Yasuhiko Ishikawa
Order-of-magnitude enhancement of direct-gap photoluminescence from patterned Ge epitaxial layers on Si induced by a wet chemical treatment
湿化学处理引起的 Si 上图案化 Ge 外延层直接间隙光致发光的数量级增强
湿化学处理引起的 Si 上图案化 Ge 外延层直接间隙光致发光的数量级增强
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[八子 基樹, 石川 靖彦]
通讯作者：
石川 靖彦
研究室ホームページ
实验室主页
实验室主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si
界面复合对 Si 上 Ge 外延层直接带隙光致发光的影响
界面复合对 Si 上 Ge 外延层直接带隙光致发光的影响
DOI：
10.7567/1347-4065/aafd96
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Yako Motoki, Higashitarumizu Naoki, Ishikawa Yasuhiko]
通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko
Ge-based Photonic Devices on Si
硅基 Ge 光子器件
硅基 Ge 光子器件
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石川靖彦, Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者：
Yasuhiko Ishikawa
共 6 条
Epitaxial growth of Ge with low defect density on ultrathin Si layers
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批准号：25630121
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2013
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负责人：Ishikawa Yasuhiko
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依托单位：
海外基金