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Formation of silicon/germanium photonics platform using bulk silicon wafers

使用体硅晶圆形成硅/锗光子平台

基本信息

批准号：
16H03880
负责人：
Ishikawa Yasuhiko
金额：
$ 11.15万
依托单位：
Toyohashi University of Technology (2017-2018)The University of Tokyo (2016)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Thin SiO2 under-cladding layer for SiNx optical waveguides on bulk Si substrate

体硅衬底上 SiNx 光波导的薄 SiO2 下包层

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryota Oyamada;Motoki Yako;and Yasuhiko Ishikawa
通讯作者：
and Yasuhiko Ishikawa

Order-of-magnitude enhancement of direct-gap photoluminescence from patterned Ge epitaxial layers on Si induced by a wet chemical treatment

湿化学处理引起的 Si 上图案化 Ge 外延层直接间隙光致发光的数量级增强

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
八子基樹;石川靖彦
通讯作者：
石川靖彦

研究室ホームページ

实验室主页

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si

界面复合对 Si 上 Ge 外延层直接带隙光致发光的影响

DOI：
10.7567/1347-4065/aafd96
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yako Motoki;Higashitarumizu Naoki;Ishikawa Yasuhiko
通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko

大学ホームページ（教員紹介）

大学主页（院系介绍）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
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期刊：
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作者：
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Ishikawa Yasuhiko其他文献

Si-capping-induced surface roughening on the strip structures of Ge selectively grown on an Si substrate

Si 覆盖导致 Si 衬底上选择性生长的 Ge 带状结构表面粗糙化

DOI：
10.1116/6.0001142
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology B
影响因子：
1.4
作者：
Katamawari Riku;Kawashita Kazuki;Hizawa Takeshi;Ishikawa Yasuhiko
通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko

(Invited) Selective Epitaxy of Submicron Ge Wire Structures for Photodetectors and Optical Modulators in Si Photonics

（特邀）硅光子学中光电探测器和光调制器用亚微米Ge线结构的选择性外延

DOI：
10.1149/10404.0147ecst
发表时间：
2021
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Ishikawa Yasuhiko;Noguchi Kyosuke;Tachibana Mayu;Kawashita Kazuki;Oyamada Ryota;Motomura Kazuki;Sonoi Shuhei;Katamawari Riku;Hizawa Takeshi
通讯作者：
Hizawa Takeshi

High concentration phosphorus doping in Ge for CMOS-integrated laser applications

用于 CMOS 集成激光应用的 Ge 中高浓度磷掺杂

DOI：
10.1016/j.sse.2019.02.007
发表时间：
2019
期刊：
Solid-State Electronics
影响因子：
1.7
作者：
Park Chan-Hyuck;Yako Motoki;Wada Kazumi;Ishikawa Yasuhiko;Ahn Donghwan
通讯作者：
Ahn Donghwan

Reduction of threading dislocations by image force in Ge selective epilayers on Si

通过镜像力减少 Si 上 Ge 选择性外延层中的穿透位错

DOI：
10.1117/12.2501081
发表时间：
2018
期刊：
Proceedings of SPIE Photonics Asia
影响因子：
0
作者：
Yako Motoki;Ishikawa Yasuhiko;Abe Eiji;Wada Kazumi
通讯作者：
Wada Kazumi

Direct Bandgap Control by Narrowing the Germanium Strip Structure on Silicon for C+L Band Photonic Devices

通过缩小硅上的锗带结构来直接控制 C L 波段光子器件

DOI：
10.1109/jqe.2022.3203128
发表时间：
2022
期刊：
IEEE Journal of Quantum Electronics
影响因子：
2.5
作者：
Sonoi Shuhei;Katamawari Riku;Shimokawa Manami;Inaba Kyosuke;Piedra-Lorenzana Jose A.;Hizawa Takeshi;Fujikata Junichi;Ishikawa Yasuhiko
通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko