Epitaxial growth of Ge with low defect density on ultrathin Si layers
Epitaxial growth of Ge with low defect density on ultrathin Si layers
超薄硅层上低缺陷密度Ge外延生长
批准号：
25630121
负责人：
Ishikawa Yasuhiko
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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High-field properties of Ge pin photodiodes on Si
Si 上 Ge pin 光电二极管的高场特性
Si 上 Ge pin 光电二极管的高场特性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永友翔, 川俣勇太, 石川靖彦, Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者：
Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa
Si上へのGeのエピタキシャル成長：Siフォトニクスへの展開
Ge 在 Si 上的外延生长：Si 光子学的发展
Ge 在 Si 上的外延生长：Si 光子学的发展
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
真空ジャーナル
影响因子：
--
作者：
[石川靖彦]
通讯作者：
石川靖彦
Ge-based Photonic Devices on Si
硅基 Ge 光子器件
硅基 Ge 光子器件
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石川靖彦, Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者：
Yasuhiko Ishikawa
レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化
使用激光退火提高 Si 上的 Ge pin 光电二极管的性能
使用激光退火提高 Si 上的 Ge pin 光电二极管的性能
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永友翔, 川俣勇太, 石川靖彦]
通讯作者：
石川靖彦
Formation of silicon/germanium photonics platform using bulk silicon wafers
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批准号：16H03880
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2016
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负责人：Ishikawa Yasuhiko
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依托单位：
海外基金