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Epitaxial growth of Ge with low defect density on ultrathin Si layers
超薄硅层上低缺陷密度Ge外延生长
基本信息
- 批准号：25630121
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High-field properties of Ge pin photodiodes on Si
Si 上 Ge pin 光电二极管的高场特性
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永友翔;川俣勇太;石川靖彦;Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa
- 通讯作者：Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa
Ge-based Photonic Devices on Si
硅基 Ge 光子器件
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石川靖彦;Yasuhiko Ishikawa
- 通讯作者：Yasuhiko Ishikawa
レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化
使用激光退火提高 Si 上的 Ge pin 光电二极管的性能
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永友翔;川俣勇太;石川靖彦
- 通讯作者：石川靖彦
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Ishikawa Yasuhiko其他文献
Si-capping-induced surface roughening on the strip structures of Ge selectively grown on an Si substrate
Si 覆盖导致 Si 衬底上选择性生长的 Ge 带状结构表面粗糙化
- DOI：
10.1116/6.0001142 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：1.4
- 作者：
Katamawari Riku;Kawashita Kazuki;Hizawa Takeshi;Ishikawa Yasuhiko - 通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko
Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si
界面复合对 Si 上 Ge 外延层直接带隙光致发光的影响
- DOI：
10.7567/1347-4065/aafd96 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Yako Motoki;Higashitarumizu Naoki;Ishikawa Yasuhiko - 通讯作者：
Ishikawa Yasuhiko
(Invited) Selective Epitaxy of Submicron Ge Wire Structures for Photodetectors and Optical Modulators in Si Photonics
（特邀）硅光子学中光电探测器和光调制器用亚微米Ge线结构的选择性外延
- DOI：
10.1149/10404.0147ecst - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ishikawa Yasuhiko;Noguchi Kyosuke;Tachibana Mayu;Kawashita Kazuki;Oyamada Ryota;Motomura Kazuki;Sonoi Shuhei;Katamawari Riku;Hizawa Takeshi - 通讯作者：
Hizawa Takeshi
High concentration phosphorus doping in Ge for CMOS-integrated laser applications
用于 CMOS 集成激光应用的 Ge 中高浓度磷掺杂
- DOI：
10.1016/j.sse.2019.02.007 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：
Park Chan-Hyuck;Yako Motoki;Wada Kazumi;Ishikawa Yasuhiko;Ahn Donghwan - 通讯作者：
Ahn Donghwan
Reduction of threading dislocations by image force in Ge selective epilayers on Si
通过镜像力减少 Si 上 Ge 选择性外延层中的穿透位错
- DOI：
10.1117/12.2501081 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yako Motoki;Ishikawa Yasuhiko;Abe Eiji;Wada Kazumi - 通讯作者：
Wada Kazumi
Ishikawa Yasuhiko的其他文献
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- DOI：
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- 作者：
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{{ truncateString('Ishikawa Yasuhiko', 18)}}的其他基金
Formation of silicon/germanium photonics platform using bulk silicon wafers
使用体硅晶圆形成硅/锗光子平台
- 批准号：
16H03880 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
- 批准号：
23K23214 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
- 批准号：
24K08259 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長
多组分化合物异质界面的晶体生长以实现新型量子系统
- 批准号：
24K08275 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
結晶成長におけるトポロジカル相に誘起されるパターン形成の研究
晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
- 批准号：
24KJ0539 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
溶融金属中における合金結晶成長の原子スケール界面科学
熔融金属中合金晶体生长的原子尺度界面科学
- 批准号：
23K26543 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
使用外延过渡金属碳化物进行过渡金属二硫属化物的晶体生长
- 批准号：
24K01347 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超高温下での氷結晶最外表面層の構造変化と結晶成長カイネティクスの相関の解明
阐明超高温下冰晶最外层结构变化与晶体生长动力学之间的相关性
- 批准号：
23K26555 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ジェットエンジン機構を用いた超高温結晶成長220nm波長帯深紫外LEDの開発
利用喷气发动机机制开发超高温晶体生长220nm波段深紫外LED
- 批准号：
23K23241 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号：
23K26557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)