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Development of high-speed domain wall memory by electric field control of Rashba effect

Development of high-speed domain wall memory by electric field control of Rashba effect
Rashba效应电场控制高速畴壁存储器的研制
批准号:
16H04325
负责人:
Komine Takashi
金额:
$10.73万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31

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