Establishment of crystal growth method of silicon clathrate aiming at creation of innovative silicon substrate
Establishment of crystal growth method of silicon clathrate aiming at creation of innovative silicon substrate
建立硅包合物晶体生长方法，旨在创造创新的硅衬底
批准号：
16H06123
负责人：
Morito Haruhiko
金额：
$16.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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金属材料研究所結晶物理学研究部門ホームページ
金属材料研究所晶体物理研究部主页
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Crystal growth of Na-Si clathrates from a Na-Si-Sn melt
Na-Si-Sn 熔体中 Na-Si 包合物的晶体生长
Na-Si-Sn 熔体中 Na-Si 包合物的晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Haruhiko Morito, Masashi Shimoda, Hisanori Yamane]
通讯作者：
Hisanori Yamane
Crystal growth of Na-Si clathrate compounds
Na-Si 笼形化合物的晶体生长
Na-Si 笼形化合物的晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Haruhiko Morito, Hisanori Yamane, Kozo Fujiwara]
通讯作者：
Kozo Fujiwara
Crystal growth of Si based on the Na-Si binary phase diagram
基于Na-Si二元相图的Si晶体生长
基于Na-Si二元相图的Si晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takeo Ohsawa, Naoki Ohashi, Haruhiko Morito]
通讯作者：
Haruhiko Morito
Na-Si-Gaクラスレート化合物の合成と結晶構造解析
Na-Si-Ga笼形化合物的合成及晶体结构分析
Na-Si-Ga笼形化合物的合成及晶体结构分析
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[漆山宏直, 森戸春彦, 山根久典]
通讯作者：
山根久典
共 13 条
Development of novel crystal growth method for realization of mono-silicon clathrate single crystal
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批准号：18H01887
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.48万
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财政年份：2018
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负责人：Morito Haruhiko
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依托单位：
海外基金