Development of novel crystal growth method for realization of mono-silicon clathrate single crystal
Development of novel crystal growth method for realization of mono-silicon clathrate single crystal
开发新的晶体生长方法以实现单晶硅包合物单晶
批准号：
18H01887
负责人：
Morito Haruhiko
金额：
$11.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Na8(Ga/Si)46クラスレートのゲスト原子置換
Na8(Ga/Si)46 包合物中的客体原子取代
Na8(Ga/Si)46 包合物中的客体原子取代
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森戸春彦, 漆山宏直, 山根久典, 藤原航三]
通讯作者：
藤原航三
高圧固体電気化学法の開発
高压固态电化学方法的发展
高压固态电化学方法的发展
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤岡 正弥, 岩﨑 秀, フレルバータル ザガルツェム, 小峰 啓史, 森戸 春彦, メルバート ジェーム, 小野 円佳, 西井 準治]
通讯作者：
西井 準治
Na-Snフラックスを用いたtype-Ⅱクラスレート化合物Na16Ba8Si136の単結晶育成
使用Na-Sn助熔剂生长II型笼形化合物Na16Ba8Si136的单晶
使用Na-Sn助熔剂生长II型笼形化合物Na16Ba8Si136的单晶
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯島譲, 森戸春彦, 山根久典, Belosludov Rodio, 寺内正己, 藤原航三]
通讯作者：
藤原航三
シリコン・クラスレートの電子物性と熱力学的安定性
硅包合物的电子性能和热力学稳定性
硅包合物的电子性能和热力学稳定性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Rodion V. Belosludov, 森戸春彦]
通讯作者：
森戸春彦
Theoretical study of Si clathrate/c-Si interface
Si笼形物/c-Si界面的理论研究
Si笼形物/c-Si界面的理论研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[BELOSLUDOV Rodion, 森戸春彦]
通讯作者：
森戸春彦
共 17 条
Establishment of crystal growth method of silicon clathrate aiming at creation of innovative silicon substrate
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批准号：16H06123
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$16.06万
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财政年份：2016
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负责人：Morito Haruhiko
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依托单位：
海外基金