高ディペンダビリティと高エネルギー効率を両立するコンピューティング基盤の構築
高ディペンダビリティと高エネルギー効率を両立するコンピューティング基盤の構築
批准号:
16J08694
负责人:
塩見 準
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-22 至 2019-03-31
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平成29年度は下記の4つの課題に取り組んだ.これらの課題遂行のために東京大学大規模集積システム設計教育研究センターを経由して65nm SOTBプロセステクノロジおよび設計CADツールを利用した.国内/国際会議でそれぞれ3件,1件の発表をし,論文誌で3件の発表を行った.また,平成28年度,29年度の活動に対し,5件の受賞があった.研究成果をまとめ博士論文を執筆した.1)平成28および29年度の研究成果(①高エネルギー効率,高ディペンダビリティを実現するオンチップメモリの回路構造の解明(1件),②電源電圧,バックゲート電圧の動的調節による集積回路の高エネルギー効率化(2件))に関し論文誌に3件投稿し採択された.2)課題1の①で開発したメモリを搭載した32ビットRISCプロセッサを設計し,電源電圧0.4 Vにおける安定動作を実測により確認した.極低電圧領域での安定動作が実現された結果,レモン電池のみの給電で試作プロセッサが1 MHz程度のクロック周波数で安定動作することを確認した.国内の研究会で上記の結果に関するデモンストレーション行った結果,最優秀ポスター発表賞を受賞した.3)オンチップメモリのアクセス頻度に応じて消費エネルギーを最小化する電源電圧とバックゲート電圧の組が変化することを実験的に明らかにした.具体的には,プロセッサが実行するアプリケーションに応じてオンチップメモリの稼働率が変化し,その結果電源電圧とバックゲート電圧の最適な組が変化する.アクセス頻度に応じて電圧を調節することで,一様に電圧印加する場合と比べて最大24%消費エネルギーを削減できることを明らかにした.4) 課題3と同様に,プロセッサのロジック回路とオンチップメモリの稼働率が異なる点に注目し,ロジックおよびメモリに独立して電圧制御技術を適用することにより消費エネルギーを削減できることを明らかにした.
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A Voltage-Scalable Fully Digital On-Chip Memory for Ultra-Low-Power IoT Processors
适用于超低功耗物联网处理器的电压可扩展全数字片上存储器
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Jun Shiomi, Tohru Ishihara, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
IoT向け超省エネルギープロセッサのための完全ディジタル型メモリ
适用于物联网超节能处理器的全数字存储器
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[塩見準, 石原亨, 小野寺秀俊]
通讯作者:
小野寺秀俊
A Processor Architecture Integrating Voltage Scalable On-Chip Memories for Individual Tracking of Minimum Energy Points in Logic and Memory
集成电压可扩展片上存储器的处理器架构,用于单独跟踪逻辑和存储器中的最小能量点
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Jun Shiomi, Tohru Ishihara, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
Fully Digital On-Chip Memory Using Minimum Height Standard Cells for Near-Threshold Voltage Computing
使用最小高度标准单元进行近阈值电压计算的全数字片上存储器
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Jun Shiomi, Tohru Ishihara, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
Individual Voltage Scaling in Logic and Memory Circuits towards Runtime Energy Optimization in Processors
逻辑和存储器电路中的单独电压缩放以实现处理器中的运行时能量优化
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Jun Shiomi, Tohru Ishihara, Hidetoshi Onodera]
通讯作者:
Hidetoshi Onodera
共 13 条
ニアスレッショルド電圧動作で切り拓く耐タンパコンピューティング基盤
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批准号:23K28053
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$7.82万
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财政年份:2024
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负责人:塩見 準
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依托单位:
Tamper-Resistant Computing Platform Exploiting Near-Threshold Voltage Operation
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批准号:23H03363
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.9万
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财政年份:2023
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负责人:塩見 準
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依托单位:
ニアスレッショルド回路の演算効率を最大化する近似コンピューティング基盤の創出
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批准号:20K19768
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2020
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负责人:塩見 準
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依托单位:
海外基金