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Investigation of unconventional superconducting phenomena induced in ferromagnetic semiconductors
研究铁磁半导体中诱发的非常规超导现象
基本信息
- 批准号：17K05492
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ti/ MoS2界面における輸送特性
Ti/MoS2 界面的传输特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：相川夕美花;遠藤彰;中村壮智;清水貴勢;成田智絵;津村公平;柏谷聡;高柳英明;勝本信吾;石黒亮輔
- 通讯作者：石黒亮輔
量子ポイントコンタクト付き超伝導/InAs二次元電子ガス/超伝導接合の伝導特性
超导/InAs二维电子气/量子点接触超导结的导电特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鬼嵜誠;橋本義昭;中村壮智;勝本信吾
- 通讯作者：勝本信吾
Finite Supercurrent in Nb/(In, Fe)As/Nb Junctions
Nb/(In, Fe)As/Nb 结中的有限超电流
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nakamura;L. D. Anh;Y. Hashimoto;S. Ohya;M. Tanaka and S. Katsumoto
- 通讯作者：M. Tanaka and S. Katsumoto
The Josephson effect in InAs quantum wells with the spin Hall effect
InAs 量子阱中的约瑟夫森效应与自旋霍尔效应
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taketomo Nakamura;Yoshiaki Hashimoto;and Shingo Katsumoto
- 通讯作者：and Shingo Katsumoto
In-plane field and current dependence of the Josephson effect in Nb/InAs/Nb junctions
Nb/InAs/Nb 结中约瑟夫森效应的面内场和电流依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nakamura;Y. Hashimoto and S. Katsumoto
- 通讯作者：Y. Hashimoto and S. Katsumoto
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Nakamura Taketomo其他文献
Half-Mirror for Electrons in Quantum Hall Copropagating Edge Channels in a Mach-Zehnder Interferometer
马赫-曾德尔干涉仪中量子霍尔共传播边缘通道中电子的半镜
- DOI：
10.1103/physrevapplied.19.034085 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：4.6
- 作者：
Shimizu Takase;Ohe Jun-ichiro;Endo Akira;Nakamura Taketomo;Katsumoto Shingo - 通讯作者：
Katsumoto Shingo
CO2資源化を目指した人工光合成の開発：現状と将来展望
以CO2资源化为目的的人工光合作用的发展：现状与未来展望
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nakamura Taketomo;Anh Le Duc;Hashimoto Yoshiaki;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;and Katsumoto Shingo;石谷治 - 通讯作者：
石谷治
Gate-controlled unitary operation on flying spin qubits in quantum Hall edge states
量子霍尔边缘态飞行自旋量子位的门控酉运算
- DOI：
10.1103/physrevb.102.235302 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：
Shimizu Takase;Nakamura Taketomo;Hashimoto Yoshiaki;Endo Akira;Katsumoto Shingo - 通讯作者：
Katsumoto Shingo
Recent progress of superconducting junctions on ferromagnetic semiconductors
铁磁半导体超导结的最新进展
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shimizu Takase;Nakamura Taketomo;Hashimoto Yoshiaki;Endo Akira;Katsumoto Shingo;Taketomo Nakamura - 通讯作者：
Taketomo Nakamura
Nuclear Barnett effect and nuclear Einstein-de Haas effect
核巴尼特效应和核爱因斯坦-德哈斯效应
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shimizu Takase;Ohe Jun-ichiro;Endo Akira;Nakamura Taketomo;Katsumoto Shingo;中堂博之 - 通讯作者：
中堂博之
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{{ truncateString('Nakamura Taketomo', 18)}}的其他基金
Research for topological superconductivity in compound devices of semiconductor and magnet
半导体与磁体复合器件拓扑超导研究
- 批准号：
20H01835 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Experimental verification of huge spin-orbit interaction in hydrogenated graphene
氢化石墨烯中巨大自旋轨道相互作用的实验验证
- 批准号：
15K17676 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
高品質ハイブリッド半導体/磁性体接合を用いた偏光制御レーザの開発
使用高质量混合半导体/磁性结开发偏振控制激光器
- 批准号：
24K01391 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
量子技術応用に向けたトポロジカル物質/強磁性半導体ヘテロ構造による量子物性の実現
使用拓扑材料/铁磁半导体异质结构实现量子物理特性，用于量子技术应用
- 批准号：
24KJ0874 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
二次元層状半導体MoS2の4d軌道エッジ強磁性の電気的制御
二维层状半导体MoS2中4d轨道边缘铁磁性的电控制
- 批准号：
24K07557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
トポロジカル量子演算に向けた強磁性半導体/超伝導体からなるジョセフソン接合の研究
铁磁半导体/超导体约瑟夫森结拓扑量子计算研究
- 批准号：
22KJ0928 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
トポロジカル物質/強磁性半導体ヘテロ構造による新機能材料とデバイスの作製
利用拓扑材料/铁磁半导体异质结构制备新型功能材料和器件
- 批准号：
22KJ1119 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
巨大な異常ホール応答を実現するトポロジカル磁性半導体の開発
开发实现巨大反常霍尔响应的拓扑磁性半导体
- 批准号：
22K18967 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
強磁性金属／半導体ハイブリッド量子スピントロニクスデバイス
铁磁金属/半导体混合量子自旋电子器件
- 批准号：
20J12256 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強磁性半導体を含む複合ヘテロ構造を用いた次世代不揮発性論理デバイスの実現
使用包含铁磁半导体的复合异质结构实现下一代非易失性逻辑器件
- 批准号：
20J13006 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Femtosecond-manipulation of charge-magnetism coupling in an antiferromagnetic semiconductor (B08*)
反铁磁半导体中电荷-磁耦合的飞秒操控 (B08*)
- 批准号：
418553534 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
CRC/Transregios
SpinMOSFET実現にむけた半導体を中間層とする縦型強磁性トンネル接合の創成
创建以半导体为中间层的垂直铁磁隧道结以实现 SpinMOSFET
- 批准号：
19J11258 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows