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Investigation of unconventional superconducting phenomena induced in ferromagnetic semiconductors
研究铁磁半导体中诱发的非常规超导现象
基本信息
- 批准号：17K05492
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ti/ MoS2界面における輸送特性
Ti/MoS2 界面的传输特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：相川夕美花;遠藤彰;中村壮智;清水貴勢;成田智絵;津村公平;柏谷聡;高柳英明;勝本信吾;石黒亮輔
- 通讯作者：石黒亮輔
量子ポイントコンタクト付き超伝導/InAs二次元電子ガス/超伝導接合の伝導特性
超导/InAs二维电子气/量子点接触超导结的导电特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鬼嵜誠;橋本義昭;中村壮智;勝本信吾
- 通讯作者：勝本信吾
Finite Supercurrent in Nb/(In, Fe)As/Nb Junctions
Nb/(In, Fe)As/Nb 结中的有限超电流
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nakamura;L. D. Anh;Y. Hashimoto;S. Ohya;M. Tanaka and S. Katsumoto
- 通讯作者：M. Tanaka and S. Katsumoto
The Josephson effect in InAs quantum wells with the spin Hall effect
InAs 量子阱中的约瑟夫森效应与自旋霍尔效应
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taketomo Nakamura;Yoshiaki Hashimoto;and Shingo Katsumoto
- 通讯作者：and Shingo Katsumoto
In-plane field and current dependence of the Josephson effect in Nb/InAs/Nb junctions
Nb/InAs/Nb 结中约瑟夫森效应的面内场和电流依赖性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nakamura;Y. Hashimoto and S. Katsumoto
- 通讯作者：Y. Hashimoto and S. Katsumoto
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Nakamura Taketomo其他文献
Half-Mirror for Electrons in Quantum Hall Copropagating Edge Channels in a Mach-Zehnder Interferometer
马赫-曾德尔干涉仪中量子霍尔共传播边缘通道中电子的半镜
- DOI：
10.1103/physrevapplied.19.034085 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：4.6
- 作者：
Shimizu Takase;Ohe Jun-ichiro;Endo Akira;Nakamura Taketomo;Katsumoto Shingo - 通讯作者：
Katsumoto Shingo
CO2資源化を目指した人工光合成の開発：現状と将来展望
以CO2资源化为目的的人工光合作用的发展：现状与未来展望
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Nakamura Taketomo;Anh Le Duc;Hashimoto Yoshiaki;Ohya Shinobu;Tanaka Masaaki;and Katsumoto Shingo;石谷治 - 通讯作者：
石谷治
Gate-controlled unitary operation on flying spin qubits in quantum Hall edge states
量子霍尔边缘态飞行自旋量子位的门控酉运算
- DOI：
10.1103/physrevb.102.235302 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：
Shimizu Takase;Nakamura Taketomo;Hashimoto Yoshiaki;Endo Akira;Katsumoto Shingo - 通讯作者：
Katsumoto Shingo
Recent progress of superconducting junctions on ferromagnetic semiconductors
铁磁半导体超导结的最新进展
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shimizu Takase;Nakamura Taketomo;Hashimoto Yoshiaki;Endo Akira;Katsumoto Shingo;Taketomo Nakamura - 通讯作者：
Taketomo Nakamura
Nuclear Barnett effect and nuclear Einstein-de Haas effect
核巴尼特效应和核爱因斯坦-德哈斯效应
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shimizu Takase;Ohe Jun-ichiro;Endo Akira;Nakamura Taketomo;Katsumoto Shingo;中堂博之 - 通讯作者：
中堂博之
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{{ truncateString('Nakamura Taketomo', 18)}}的其他基金
Research for topological superconductivity in compound devices of semiconductor and magnet
半导体与磁体复合器件拓扑超导研究
- 批准号：
20H01835 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Experimental verification of huge spin-orbit interaction in hydrogenated graphene
氢化石墨烯中巨大自旋轨道相互作用的实验验证
- 批准号：
15K17676 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
高品質ハイブリッド半導体/磁性体接合を用いた偏光制御レーザの開発
使用高质量混合半导体/磁性结开发偏振控制激光器
- 批准号：
24K01391 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
量子技術応用に向けたトポロジカル物質/強磁性半導体ヘテロ構造による量子物性の実現
使用拓扑材料/铁磁半导体异质结构实现量子物理特性，用于量子技术应用
- 批准号：
24KJ0874 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
二次元層状半導体MoS2の4d軌道エッジ強磁性の電気的制御
二维层状半导体MoS2中4d轨道边缘铁磁性的电控制
- 批准号：
24K07557 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
トポロジカル量子演算に向けた強磁性半導体/超伝導体からなるジョセフソン接合の研究
铁磁半导体/超导体约瑟夫森结拓扑量子计算研究
- 批准号：
22KJ0928 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
トポロジカル物質/強磁性半導体ヘテロ構造による新機能材料とデバイスの作製
利用拓扑材料/铁磁半导体异质结构制备新型功能材料和器件
- 批准号：
22KJ1119 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
巨大な異常ホール応答を実現するトポロジカル磁性半導体の開発
开发实现巨大反常霍尔响应的拓扑磁性半导体
- 批准号：
22K18967 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Control of magnetic circular dichroism in doped semiconductor nanostructures based on the material nonstoichiometry
基于材料非化学计量的掺杂半导体纳米结构磁圆二色性控制
- 批准号：
22H01890 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of non-contact measurement system for local impurity density in semiconductor using magnetic-force microscopy
利用磁力显微镜开发半导体局部杂质密度非接触测量系统
- 批准号：
22H01498 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Design and Synthesis of Magnetic Semiconductor Based on pi-Conjugated Polymers Containing Spin Localized Nitroxide Unit
基于含自旋局域氮氧单元的π共轭聚合物的磁性半导体的设计与合成
- 批准号：
20K05609 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Coherent control of single magnetic spin in semiconductor dots using elastic wave and its application
弹性波半导体点单磁自旋相干控制及其应用
- 批准号：
20K21116 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)