Electronic states of bismuth layered materials with black-phosphorus-like structure
Electronic states of bismuth layered materials with black-phosphorus-like structure
类黑磷结构铋层状材料的电子态
批准号：
17K05493
负责人：
Nakatsuji Kan
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2022-03-31
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Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態
Si(111)√3x√3-B表面生长的多层Bi(110)薄膜的电子态
Si(111)√3x√3-B表面生长的多层Bi(110)薄膜的电子态
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[下川裕理, 藤原翼, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 渡辺義夫, 仲武昌史, 間瀬一彦, 高橋和敏, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化
Si(111)√3×√3-B衬底上低温沉积的超薄铋薄膜室温退火引起的结构变化
Si(111)√3×√3-B衬底上低温沉积的超薄铋薄膜室温退火引起的结构变化
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化
Si(111)√3x√3-B衬底上低温吸附铋超薄膜退火引起的结构变化
Si(111)√3x√3-B衬底上低温吸附铋超薄膜退火引起的结构变化
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之]
通讯作者：
平山博之
Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現
Si(111)7×7衬底上奇数层高Bi(110)岛的出现
Si(111)7×7衬底上奇数层高Bi(110)岛的出现
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[潮田亮太, 長瀬謙太郎, 荻野嵩大, 車尾ヴァレンティン基, 中辻 寛, 白澤 徹郎, 平山 博之]
通讯作者：
平山 博之
Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3×√3-B substrate
Si(111)√3×√3-B衬底上生长的Bi(110)超薄膜的电子结构
Si(111)√3×√3-B衬底上生长的Bi(110)超薄膜的电子结构
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi and H. Hirayama]
通讯作者：
K. Takahashi and H. Hirayama
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