Optical AND operation in semiconductor quantum structure
Optical AND operation in semiconductor quantum structure
半导体量子结构中的光与运算
批准号：
17K06364
负责人：
KAWAZU Takuya
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Valence band mixing in GaAs/AlGaAs quantum wells adjacent to self-assembled InAlAs antidots
邻近自组装 InAlAs 解点的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的价带混合
邻近自组装 InAlAs 解点的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的价带混合
DOI：
10.1155/2019/5349291
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Nanomaterials
影响因子：
--
作者：
[H. Tanaka, K. Tanaka, R. Matsumoto, and S. Kishida, Takuya Kawazu]
通讯作者：
Takuya Kawazu
n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作
n-AlGaAs/GaAs 异质结场效应晶体管中的光学 AND 运算
n-AlGaAs/GaAs 异质结场效应晶体管中的光学 AND 运算
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川津 琢也，野田 武司, 佐久間 芳樹]
通讯作者：
佐久間 芳樹
Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor
n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs 双异质结场效应晶体管局部栅极边缘照明肖特基光电流的温度依赖性
n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs 双异质结场效应晶体管局部栅极边缘照明肖特基光电流的温度依赖性
DOI：
10.7567/1347-4065/ab0c76
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Kawazu Takuya, Noda Takeshi, Sakuma Yoshiki]
通讯作者：
Sakuma Yoshiki
Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor
n-AlGaAs/GaAs 异质结场效应晶体管中的光学 AND 运算
n-AlGaAs/GaAs 异质结场效应晶体管中的光学 AND 运算
DOI：
10.1063/1.5010845
发表时间：
2018
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Takuya Kawazu, Takeshi Noda, and Yoshiki Sakuma]
通讯作者：
and Yoshiki Sakuma
局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果
局域光照射n-AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管肖特基光电流增强效应
局域光照射n-AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管肖特基光电流增强效应
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川津 琢也，野田 武司, 佐久間 芳樹]
通讯作者：
佐久間 芳樹
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