Optical AND operation in semiconductor quantum structure

半导体量子结构中的光与运算

• 批准号: 17K06364
• 负责人: KAWAZU Takuya
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06364/
• 关键词: 半導体; 光起電流; 電界効果トランジスター; 量子ドット; 電子デバイス; 量子構造; 赤外材料・素子

项目成果

Valence band mixing in GaAs/AlGaAs quantum wells adjacent to self-assembled InAlAs antidots

邻近自组装 InAlAs 解点的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的价带混合

• DOI: 10.1155/2019/5349291
• 发表时间: 2019
• 期刊: Journal of Nanomaterials
• 作者: H. Tanaka;K. Tanaka;R. Matsumoto;and S. Kishida;Takuya Kawazu
• 通讯作者: Takuya Kawazu

n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタにおける光AND演算動作

n-AlGaAs/GaAs 异质结场效应晶体管中的光学 AND 运算

• 发表时间: 2018
• 作者: 川津 琢也，野田 武司;佐久間 芳樹
• 通讯作者: 佐久間 芳樹

Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs double-heterojunction field-effect transistor

n-AlGaAs/GaAs/AlGaAs 双异质结场效应晶体管局部栅极边缘照明肖特基光电流的温度依赖性

• DOI: 10.7567/1347-4065/ab0c76
• 发表时间: 2019
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Kawazu Takuya;Noda Takeshi;Sakuma Yoshiki
• 通讯作者: Sakuma Yoshiki

Optical AND operation in n-AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor

n-AlGaAs/GaAs 异质结场效应晶体管中的光学 AND 运算

• DOI: 10.1063/1.5010845
• 发表时间: 2018
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Takuya Kawazu;Takeshi Noda;and Yoshiki Sakuma
• 通讯作者: and Yoshiki Sakuma

局所光照射によるn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合電界効果トランジスタのショットキー光電流増強効果

局域光照射n-AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管肖特基光电流增强效应

• 发表时间: 2019
• 作者: 川津 琢也，野田 武司;佐久間 芳樹
• 通讯作者: 佐久間 芳樹