Experimental study on two-dimensional silicon-cabide using hot-carbon-ion implantation technique
Experimental study on two-dimensional silicon-cabide using hot-carbon-ion implantation technique
热碳离子注入二维碳化硅的实验研究
批准号：
17K06359
负责人：
Mizuno Tomohisa
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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バルクSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性
通过热 C+ 离子注入体硅衬底形成 SiC 纳米点 (IV)：平面取向依赖性
通过热 C+ 离子注入体硅衬底形成 SiC 纳米点 (IV)：平面取向依赖性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金澤力斗, 青木孝，鮫島俊之，水野智久, 山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久]
通讯作者：
山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久
DOI：
10.7567/1347-4065/aafb4e
发表时间：
2019-02
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[T. Mizuno;R. Kanazawa;T. Aoki;T. Sameshima]
通讯作者：
T. Mizuno;R. Kanazawa;T. Aoki;T. Sameshima
バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性
块状硅衬底中碳化硅纳米点尺寸的工艺依赖性
块状硅衬底中碳化硅纳米点尺寸的工艺依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金澤力斗, 青木孝，鮫島俊之，水野智久, 山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久]
通讯作者：
山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久
Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate
热碳离子注入体硅衬底中 SiC 纳米点形成的 Si 表面取向依赖性
热碳离子注入体硅衬底中 SiC 纳米点形成的 Si 表面取向依赖性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
Abst. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
影响因子：
--
作者：
[T. Mizuno, M. Yamamoto, T. Aoki, T. Sameshima]
通讯作者：
T. Sameshima
DOI：
10.7567/jjap.57.04fb03
发表时间：
2018-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[T. Mizuno;Y. Omata;R. Kanazawa;Y. Iguchi;S. Nakada;T. Aoki;T. Sasaki]
通讯作者：
T. Mizuno;Y. Omata;R. Kanazawa;Y. Iguchi;S. Nakada;T. Aoki;T. Sasaki
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