Experimental study on two-dimensional silicon-cabide using hot-carbon-ion implantation technique

热碳离子注入二维碳化硅的实验研究

• 批准号: 17K06359
• 负责人: Mizuno Tomohisa
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Kanagawa University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06359/
• 关键词: SiC; 量子ドット; PL発光; ホットイオン注入; 量子閉じ込め効果; Si系発光素子; SiC量子ドット; Si酸化膜; 電子・電気材料; 半導体物性; ナノ材料; 光物性; SiCドット; 不確定性原理

项目成果

バルクSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性

通过热 C+ 离子注入体硅衬底形成 SiC 纳米点 (IV)：平面取向依赖性

• 发表时间: 2019
• 作者: 金澤力斗;青木孝，鮫島俊之，水野智久;山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久
• 通讯作者: 山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久

SiC nanodot formation in amorphous-Si and poly-Si substrates using a hot-C+-ion implantation technique

• DOI: 10.7567/1347-4065/aafb4e
• 发表时间: 2019-02
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Mizuno;R. Kanazawa;T. Aoki;T. Sameshima

バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性

块状硅衬底中碳化硅纳米点尺寸的工艺依赖性

• 发表时间: 2018
• 作者: 金澤力斗;青木孝，鮫島俊之，水野智久;山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久
• 通讯作者: 山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久

Nano-SiC region formation in (100) Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C+-ion implantation process to improve photoluminescence intensity

• DOI: 10.7567/jjap.57.04fb03
• 发表时间: 2018-03
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Mizuno;Y. Omata;R. Kanazawa;Y. Iguchi;S. Nakada;T. Aoki;T. Sasaki

Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate

热碳离子注入体硅衬底中 SiC 纳米点形成的 Si 表面取向依赖性

• 发表时间: 2019
• 期刊: Abst. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
• 作者: T. Mizuno;M. Yamamoto;T. Aoki;T. Sameshima
• 通讯作者: T. Sameshima