Emission wavelength extension to 1.5 micrometer of InAs quantum dots grown on nitrogen-doped GaAs(001) surfaces

在氮掺杂 GaAs(001) 表面上生长的 InAs 量子点的发射波长扩展至 1.5 微米

• 批准号: 17K06352
• 负责人: Kaizu Toshiyuki
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06352/
• 关键词: 量子ドット; 窒素ドープ; キャップ成長温度; 長波長発光; 発光強度; InAs量子ドット; 発光強度向上; GaAsキャップ温度; 発光波長; 窒素ドープシーケンス; MBE; 光物性

项目成果

One-Dimensional Electronic States in Highly-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices

高度堆叠的 InAs/GaAs 量子点超晶格中的一维电子态

• 发表时间: 2019
• 作者: T. Kaizu;and T. Kita
• 通讯作者: and T. Kita

多重積層InAs/GaAs量子ドット光増幅器の偏波無依存光利得

多层 InAs/GaAs 量子点光放大器的偏振无关光学增益

• 发表时间: 2019
• 作者: 海津 利行;角谷 智哉;喜多 隆
• 通讯作者: 喜多 隆

GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響

GaAs帽温度对氮掺杂GaAs(001)表面InAs量子点发射波长的影响

• 发表时间: 2018
• 作者: 海津利行;上西奈緒人;喜多隆
• 通讯作者: 喜多隆

Polarization-insensitive optical gain of highly stacked InAs/GaAsquantum dot semiconductor optical amplifier

高度堆叠InAs/GaAs量子点半导体光放大器的偏振不敏感光学增益

• 发表时间: 2019
• 作者: T. Kaizu;T. Kakutani;T. Kita
• 通讯作者: T. Kita

Spatially resolved electronic structure of an isovalent nitrogen center in GaAs

GaAs 中等价氮中心的空间分辨电子结构

• DOI: 10.1103/physrevb.96.155210
• 发表时间: 2017
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Plantenga R. C.;Kortan V. R.;Kaizu T.;Harada Y.;Kita T.;Flatte M. E.;Koenraad P. M.
• 通讯作者: Koenraad P. M.