Emission wavelength extension to 1.5 micrometer of InAs quantum dots grown on nitrogen-doped GaAs(001) surfaces
Emission wavelength extension to 1.5 micrometer of InAs quantum dots grown on nitrogen-doped GaAs(001) surfaces
在氮掺杂 GaAs(001) 表面上生长的 InAs 量子点的发射波长扩展至 1.5 微米
批准号：
17K06352
负责人：
Kaizu Toshiyuki
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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One-Dimensional Electronic States in Highly-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
高度堆叠的 InAs/GaAs 量子点超晶格中的一维电子态
高度堆叠的 InAs/GaAs 量子点超晶格中的一维电子态
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kaizu, and T. Kita]
通讯作者：
and T. Kita
多重積層InAs/GaAs量子ドット光増幅器の偏波無依存光利得
多层 InAs/GaAs 量子点光放大器的偏振无关光学增益
多层 InAs/GaAs 量子点光放大器的偏振无关光学增益
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[海津 利行, 角谷 智哉, 喜多 隆]
通讯作者：
喜多 隆
GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響
GaAs帽温度对氮掺杂GaAs(001)表面InAs量子点发射波长的影响
GaAs帽温度对氮掺杂GaAs(001)表面InAs量子点发射波长的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[海津利行, 上西奈緒人, 喜多隆]
通讯作者：
喜多隆
Polarization-insensitive optical gain of highly stacked InAs/GaAsquantum dot semiconductor optical amplifier
高度堆叠InAs/GaAs量子点半导体光放大器的偏振不敏感光学增益
高度堆叠InAs/GaAs量子点半导体光放大器的偏振不敏感光学增益
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kaizu, T. Kakutani, T. Kita]
通讯作者：
T. Kita
Spatially resolved electronic structure of an isovalent nitrogen center in GaAs
GaAs 中等价氮中心的空间分辨电子结构
GaAs 中等价氮中心的空间分辨电子结构
DOI：
10.1103/physrevb.96.155210
发表时间：
2017
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[Plantenga R. C., Kortan V. R., Kaizu T., Harada Y., Kita T., Flatte M. E., Koenraad P. M.]
通讯作者：
Koenraad P. M.
共 7 条
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