Contact resistance lowering at metal/Ge interface by controlling metal property and interface structure
Contact resistance lowering at metal/Ge interface by controlling metal property and interface structure
通过控制金属性质和界面结构降低金属/Ge界面的接触电阻
批准号：
17K06374
负责人：
Nishimura Tomonori
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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DOI：
10.7567/apex.9.081201
发表时间：
2016-08-01
期刊：
APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子：
2.3
作者：
[Nishimura, Tomonori, Yajima, Takeaki, Toriumi, Akira]
通讯作者：
Toriumi, Akira
半導体界面における金属の仕事関数は真空で良いか？
半导体界面处的金属功函数可以在真空中吗？
半导体界面处的金属功函数可以在真空中吗？
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi, 西村 知紀，矢嶋 赳彬，鳥海 明, 西村 知紀，羅 シュアン，矢嶋 赳彬，鳥海 明]
通讯作者：
西村 知紀，羅 シュアン，矢嶋 赳彬，鳥海 明
Generalized picture of work function of a metal with Schottky interface
具有肖特基界面的金属功函数的广义图
具有肖特基界面的金属功函数的广义图
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, T. Yajima, and A. Toriumi]
通讯作者：
and A. Toriumi
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi]
通讯作者：
and A. Toriumi
金属/Ge 界面のFermi-level pinningに及ぼすGe の基板面方位効果
Ge 衬底取向对金属/Ge 界面费米能级钉扎的影响
Ge 衬底取向对金属/Ge 界面费米能级钉扎的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishimura, X. Luo, T. Yajima, and A. Toriumi, 西村 知紀，矢嶋 赳彬，鳥海 明, 西村 知紀，羅 シュアン，矢嶋 赳彬，鳥海 明, 西村 知紀，羅 シュアン;，矢嶋 赳彬，鳥海 明]
通讯作者：
西村 知紀，羅 シュアン;，矢嶋 赳彬，鳥海 明
共 6 条
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