刷新
{{item.name}}会员
Contact resistance lowering at metal/Ge interface by controlling metal property and interface structure
通过控制金属性质和界面结构降低金属/Ge界面的接触电阻
基本信息
- 批准号：17K06374
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface
- DOI：10.7567/apex.9.081201
- 发表时间：2016-08-01
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Nishimura, Tomonori;Yajima, Takeaki;Toriumi, Akira
- 通讯作者：Toriumi, Akira
半導体界面における金属の仕事関数は真空で良いか？
半导体界面处的金属功函数可以在真空中吗？
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishimura;X. Luo;T. Yajima;and A. Toriumi;西村 知紀，矢嶋 赳彬，鳥海 明;西村 知紀，羅 シュアン，矢嶋 赳彬，鳥海 明
- 通讯作者：西村 知紀，羅 シュアン，矢嶋 赳彬，鳥海 明
Generalized picture of work function of a metal with Schottky interface
具有肖特基界面的金属功函数的广义图
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishimura;T. Yajima;and A. Toriumi
- 通讯作者：and A. Toriumi
Understanding and control of Fermi level pinning at metal/germanium interface
金属/锗界面费米能级钉扎的理解和控制
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishimura;X. Luo;T. Yajima;and A. Toriumi
- 通讯作者：and A. Toriumi
金属/Ge 界面のFermi-level pinningに及ぼすGe の基板面方位効果
Ge 衬底取向对金属/Ge 界面费米能级钉扎的影响
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishimura;X. Luo;T. Yajima;and A. Toriumi;西村 知紀，矢嶋 赳彬，鳥海 明;西村 知紀，羅 シュアン，矢嶋 赳彬，鳥海 明;西村 知紀，羅 シュアン;，矢嶋 赳彬，鳥海 明
- 通讯作者：西村 知紀，羅 シュアン;，矢嶋 赳彬，鳥海 明
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Nishimura Tomonori其他文献
電子線ホログラフィーによる機能性材料の応用解析
利用电子束全息技术对功能材料进行应用分析
- DOI：
- 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Sato Yuichiro;Nishimura Tomonori;Duanfei Dong;Ueno Keiji;Shinokita Keisuke;Matsuda Kazunari;Nagashio Kosuke;N. Murakami;山本和生 - 通讯作者：
山本和生
Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface
MoS2/金属界面压电极化位置的识别
- DOI：
10.35848/1882-0786/ac3d1f - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Umeda Masaya;Higashitarumizu Naoki;Kitaura Ryo;Nishimura Tomonori;Nagashio Kosuke - 通讯作者：
Nagashio Kosuke
Impact of GeO2 passivation layer quality on band alignment at GeO2/Ge interface studied by internal photoemission spectroscopy
通过内部光电子能谱研究 GeO2 钝化层质量对 GeO2/Ge 界面能带排列的影响
- DOI：
10.7567/apex.9.024201 - 发表时间：
2016-01 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Zhang Wenfeng;Nishimura Tomonori;Toriumi Akira - 通讯作者：
Toriumi Akira
高速液体クロマトグラフィーを用いた金ナノクラスターの反応追跡と異種金属元素導入の影響解明
使用高效液相色谱追踪金纳米团簇的反应并阐明引入不同金属元素的影响
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yajima Takeaki;Nishimura Tomonori;Tanaka Takahisa;Uchida Ken;Toriumi Akira;宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一 - 通讯作者：
宮嶋小百合 池田彩華 中本真奈 HOSSAIN Sakiat 川脇徳久 根岸雄一
Nishimura Tomonori的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
ワイドギャップシリコン新材料：シリコン同素体Si46はエピタキシャル成長するか？
新型宽禁带硅材料：硅同素异形体Si46可以外延生长吗？
- 批准号：
24K07584 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
シリコン塑性変形技術を用いた高角度分解能で軽量な次世代X線望遠鏡の開発
利用硅塑性变形技术开发下一代高角分辨率轻型X射线望远镜
- 批准号：
24K17090 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
次世代高エネルギー重イオン衝突実験に向けた先進的シリコン検出器開発
开发用于下一代高能重离子碰撞实验的先进硅探测器
- 批准号：
24K00663 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
フレキシブルテラヘルツデバイスに向けたシリコン有効媒質材料の基盤研究
柔性太赫兹器件硅有效介质材料基础研究
- 批准号：
24K00933 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
リチウムイオン電池における層状シリコン負極の反応制御およびその反応機構の解明
锂离子电池层状硅负极反应控制及反应机理阐明
- 批准号：
23K21150 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生
基于硅MOS结构的电子流体电子器件的创建
- 批准号：
24H00312 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多孔質炭素へのシリコンおよび熱分解炭素被覆によるリチウムイオン電池負極材料の合成
多孔碳上硅与热解碳包覆合成锂离子电池负极材料
- 批准号：
24K08589 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
単結晶シリコンの多条微細V溝構造をかみ合わせた直動ステージ
单晶硅互锁多排微V型槽结构线性平台
- 批准号：
24K07255 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号：
23K26405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)