Reduction of transient enhanced diffusion in Si by F co-implantation
通过 F 共注入减少 Si 中的瞬态增强扩散
基本信息
- 批准号:17K06397
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and fluorine in pre-amorphized silicon investigated by isotope heterostructures
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- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Ryotaro Kiga;Masashi Uematsu;Kohei M. Itoh
- 通讯作者:Kohei M. Itoh
シリコン同位体周期構造を用いた共注入フッ素・ホウ素と自己拡散の同時観測
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- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:木我 亮太郎,植松 真司;伊藤 公平
- 通讯作者:伊藤 公平
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Uematsu Masashi其他文献
層状結晶MoX2(X=S, Se)のラマン散乱と光学フォノン温度の測定
层状晶体MoX2(X=S,Se)的拉曼散射和光学声子温度的测量
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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劉 鋭安,宮田 全展,小矢野 幹夫
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- 影响因子:1.5
- 作者:
Shimizu Tsunashi;Akiyama Toru;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;Kageshima Hiroyuki;Uematsu Masashi;Shiraishi Kenji - 通讯作者:
Shiraishi Kenji
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2020 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Shimizu Tsunashi;Akiyama Toru;Pradipto Abdul-Muizz;Nakamura Kohji;Ito Tomonori;Kageshima Hiroyuki;Uematsu Masashi;Shiraishi Kenji - 通讯作者:
Shiraishi Kenji
Effects of Wet Ambient on Dry Oxidation Processes at 4H-SiC/SiO2 Interface: An Ab Initio Study
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- 影响因子:0
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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