Reduction of transient enhanced diffusion in Si by F co-implantation
Reduction of transient enhanced diffusion in Si by F co-implantation
通过 F 共注入减少 Si 中的瞬态增强扩散
批准号：
17K06397
负责人：
Uematsu Masashi
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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プリアモルファス化Si中のフッ素のホウ素拡散抑制
氟在预非晶化硅中硼扩散的抑制
氟在预非晶化硅中硼扩散的抑制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木我 亮太郎，植松 真司, 伊藤 公平]
通讯作者：
伊藤 公平
Simultaneous observation of the diffusion of self-atoms and co-implanted boron and fluorine in pre-amorphized silicon investigated by isotope heterostructures
同位素异质结构同时观察预非晶硅中自原子和共注入硼、氟的扩散
同位素异质结构同时观察预非晶硅中自原子和共注入硼、氟的扩散
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryotaro Kiga, Masashi Uematsu, Kohei M. Itoh]
通讯作者：
Kohei M. Itoh
シリコン同位体周期構造を用いた共注入フッ素・ホウ素と自己拡散の同時観測
利用硅同位素周期结构同时观察氟/硼共注入和自扩散
利用硅同位素周期结构同时观察氟/硼共注入和自扩散
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木我 亮太郎，植松 真司, 伊藤 公平]
通讯作者：
伊藤 公平
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