Non-thermal anealing of the interface between wide band-gap semiconductor and metal induced by femtosecond laser irradiation
Non-thermal anealing of the interface between wide band-gap semiconductor and metal induced by femtosecond laser irradiation
飞秒激光辐照诱导宽带隙半导体与金属界面的非热退火
批准号：
17H03147
负责人：
TOMITA Takuro
金额：
$11.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface
飞秒激光诱导的 4H-SiC 表面改性及其在 Ni/SiC 界面低温扩散中的应用
飞秒激光诱导的 4H-SiC 表面改性及其在 Ni/SiC 界面低温扩散中的应用
DOI：
10.7567/jjap.57.116501
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Okada Tatsuya, Tomita Takuro, Ueki Tomoyuki, Hashimoto Takuya, Fuchikami Yuki, Katayama Hiroyuki, Hisazawa Hiromu, Tanaka Yasuhiro]
通讯作者：
Tanaka Yasuhiro
走査型電子顕微鏡を用いたフェムト秒レーザー加工過程のパルス分解観察
使用扫描电子显微镜对飞秒激光加工进行脉冲分辨观察
使用扫描电子显微镜对飞秒激光加工进行脉冲分辨观察
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[渕上 裕暉, 薮内 麻由, 宮本 美佑, 二村 大, 山口 誠, 岡田 達也, 富田 卓朗]
通讯作者：
富田 卓朗
表面局在した格子振動に由来するSiCのラマンスペクトル
来自表面局域晶格振动的 SiC 拉曼光谱
来自表面局域晶格振动的 SiC 拉曼光谱
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富田 卓朗, 竹中 一将, 板東 洋太, 滝谷 悠介, 山口 誠, 田中 康弘, 中島 信一, 岡田 達也]
通讯作者：
岡田 達也
Formation of Ni ohmic electrode on SiC by femtosecond laser irradiation associated with thermal annealing
通过飞秒激光照射和热退火在 SiC 上形成 Ni 欧姆电极
通过飞秒激光照射和热退火在 SiC 上形成 Ni 欧姆电极
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hiroki Kawakami, Yoshiki Naoi and Takuro Tomita]
通讯作者：
Yoshiki Naoi and Takuro Tomita
フェムト秒レーザ照射誘起改質を導入したSiC単結晶上Ni電極の特性評価
飞秒激光辐照诱导改性SiC单晶Ni电极特性评估
飞秒激光辐照诱导改性SiC单晶Ni电极特性评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水尾 優作, 渕上 裕暉, 富田 卓朗, 久澤 大夢, 岡田 達也]
通讯作者：
岡田 達也
共 37 条
Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors
-
批准号：19760035
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.32万
-
财政年份：2007
-
负责人：TOMITA Takuro
-
依托单位：