Non-thermal anealing of the interface between wide band-gap semiconductor and metal induced by femtosecond laser irradiation

飞秒激光辐照诱导宽带隙半导体与金属界面的非热退火

• 批准号: 17H03147
• 负责人: TOMITA Takuro
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03147/
• 关键词: フェムト秒レーザー; レーザー加工・改質; シリコンカーバイド; 窒化ガリウム; 金属電極; ワイドバンドギャップ半導体; ダイアモンド; レーザー合金化; 界面合金化; オーミック電極; 窒化物半導体; レーザーアニール

项目成果

Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface

飞秒激光诱导的 4H-SiC 表面改性及其在 Ni/SiC 界面低温扩散中的应用

• DOI: 10.7567/jjap.57.116501
• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Okada Tatsuya;Tomita Takuro;Ueki Tomoyuki;Hashimoto Takuya;Fuchikami Yuki;Katayama Hiroyuki;Hisazawa Hiromu;Tanaka Yasuhiro
• 通讯作者: Tanaka Yasuhiro

走査型電子顕微鏡を用いたフェムト秒レーザー加工過程のパルス分解観察

使用扫描电子显微镜对飞秒激光加工进行脉冲分辨观察

• 发表时间: 2019
• 作者: 渕上 裕暉;薮内 麻由;宮本 美佑;二村 大;山口 誠;岡田 達也;富田 卓朗
• 通讯作者: 富田 卓朗

表面局在した格子振動に由来するSiCのラマンスペクトル

来自表面局域晶格振动的 SiC 拉曼光谱

• 发表时间: 2018
• 作者: 富田 卓朗;竹中 一将;板東 洋太;滝谷 悠介;山口 誠;田中 康弘;中島 信一;岡田 達也
• 通讯作者: 岡田 達也

Formation of Ni ohmic electrode on SiC by femtosecond laser irradiation associated with thermal annealing

通过飞秒激光照射和热退火在 SiC 上形成 Ni 欧姆电极

• 发表时间: 2017
• 作者: Hiroki Kawakami;Yoshiki Naoi and Takuro Tomita
• 通讯作者: Yoshiki Naoi and Takuro Tomita

フェムト秒レーザ照射誘起改質を導入したSiC単結晶上Ni電極の特性評価

飞秒激光辐照诱导改性SiC单晶Ni电极特性评估

• 发表时间: 2019
• 作者: 水尾 優作;渕上 裕暉;富田 卓朗;久澤 大夢;岡田 達也
• 通讯作者: 岡田 達也