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Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors

宽带隙半导体飞秒激光诱导改性技术研究进展

基本信息

批准号：
19760035
负责人：
TOMITA Takuro
金额：
$ 2.32万
依托单位：
The University of Tokushima
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

フェムト秒レーザー照射によるワイドバンドギャップ半導体材料の物性改質を行うことを目標として研究を行ってきた。シリコンカーバイドの半絶縁性基板にイオン注入を行い、その上に電極作製を行い、良好な電極を得ることが出来た。この電極を作製した半絶縁性基板に顕微光学系を用いてフェムト秒レーザー照射を行い、電気伝導率の変化を評価したところ、電気伝導率の有意な向上を見出した。さらに、赤外反射分光法を用いたフェムト秒レーザー改質部の評価から、シリコンカーバイドの赤外反射特性の制御が可能であることを明らかにした。

フェムトSecond レーザー irradiation によるワイドバンドギャップ semiconductor The physical properties of materials are modified and the target is researched. The シリコンカーバイドの semi-insulated substrate is injected into the line, the electrode is made on the line, and the good electrode is made out. The electrode was fabricated using a semi-insulated substrate and the micro-optical system was irradiated using a second-generation laser beam.行い、电気伝CONductivityの変化を综合価したところ、电気伝CONductivityの意な上を见出した.さらに、Infrared reflection spectrometry いたフェムトsecond レーザーReformation Department の価から、シリコンカーバイドのIR Reflection Characteristicsのcontrolがpossibleであることを明らかにした.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

フェムト秒レーザー加工による固体内光圧回転体の作製

飞秒激光加工固态光压旋转体的制作

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
木山聡;他
通讯作者：
他

Laser microfabrication and rotation of ship-in-a-bottle optical rotators

DOI：
10.1063/1.2967872
发表时间：
2008-08
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
S. Matsuo;S. Kiyama;Y. Shichijo;T. Tomita;S. Hashimoto;Y. Hosokawa;H. Masuhara
通讯作者：
S. Matsuo;S. Kiyama;Y. Shichijo;T. Tomita;S. Hashimoto;Y. Hosokawa;H. Masuhara

Amorphous structure of ripple on SiC studied by micro Raman spectroscopy

显微拉曼光谱研究SiC波纹非晶结构