Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors
Development of femtosecond laser induced modification technique for wide band-gap semiconductors
宽带隙半导体飞秒激光诱导改性技术研究进展
批准号：
19760035
负责人：
TOMITA Takuro
金额：
$2.32万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
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英文摘要
フェムト秒レーザー照射によるワイドバンドギャップ半導体材料の物性改質を行うことを目標として研究を行ってきた。シリコンカーバイドの半絶縁性基板にイオン注入を行い、その上に電極作製を行い、良好な電極を得ることが出来た。この電極を作製した半絶縁性基板に顕微光学系を用いてフェムト秒レーザー照射を行い、電気伝導率の変化を評価したところ、電気伝導率の有意な向上を見出した。さらに、赤外反射分光法を用いたフェムト秒レーザー改質部の評価から、シリコンカーバイドの赤外反射特性の制御が可能であることを明らかにした。
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フェムト秒レーザー加工による固体内光圧回転体の作製
飞秒激光加工固态光压旋转体的制作
飞秒激光加工固态光压旋转体的制作
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木山 聡, 他]
通讯作者：
他
DOI：
10.1063/1.2967872
发表时间：
2008-08
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[S. Matsuo;S. Kiyama;Y. Shichijo;T. Tomita;S. Hashimoto;Y. Hosokawa;H. Masuhara]
通讯作者：
S. Matsuo;S. Kiyama;Y. Shichijo;T. Tomita;S. Hashimoto;Y. Hosokawa;H. Masuhara
Amorphous structure of ripple on SiC studied by micro Raman spectroscopy
显微拉曼光谱研究SiC波纹非晶结构
显微拉曼光谱研究SiC波纹非晶结构
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
The proceedings of the 8-th International Symposium on Laser Precision Microfabrication
影响因子：
--
作者：
[M. Yamaguchi, et. al.]
通讯作者：
et. al.
4H-SiCにおけるインデンテーション圧痕部の顕微ラマン分光
4H-SiC 中压痕压痕的显微拉曼光谱
4H-SiC 中压痕压痕的显微拉曼光谱
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[藤塚将行, 他]
通讯作者：
他
フェムト秒レーザー照射による4H-SiC改質部のTEM観察とラマン分光
飞秒激光照射4H-SiC改性件的TEM观察及拉曼光谱
飞秒激光照射4H-SiC改性件的TEM观察及拉曼光谱
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富田卓朗, 他]
通讯作者：
他
共 28 条
Non-thermal anealing of the interface between wide band-gap semiconductor and metal induced by femtosecond laser irradiation
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批准号：17H03147
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2017
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负责人：TOMITA Takuro
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依托单位：
海外基金