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Low-damage Processing of Nitride Semiconductors Based on Self-stoping Oxdization and Transistor Applications

基于自停止氧化的氮化物半导体低损伤加工及晶体管应用

基本信息

批准号：
17H03224
负责人：
Sato Taketomo
金额：
$ 11.56万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

北海道大学量子综合电子研究中心

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Precise control in recessed-gate etching for AlGaN/GaN HEMTs by utilizing photo- electrochemical reactions

利用光电化学反应精确控制 AlGaN/GaN HEMT 的凹栅蚀刻

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Komatsu;M. Toguchi;and T. Sato
通讯作者：
and T. Sato

Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application

用于 GaN HEMT 应用的简单光电化学蚀刻

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
F. Horikiri;N. Fukuhara;Y. Narita;T. Yoshida;M. Toguchi;K. Miwa;and T. Sato
通讯作者：
and T. Sato

Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K2S2O8 solution

K2S2O8 溶液中非接触式光电化学刻蚀 n-GaN

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Toguchi;K. Miwa;F. Horikiri;N. Fukuhara;Y. Narita;T. Yoshida;and T. Sato
通讯作者：
and T. Sato

電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価

使用电化学阻抗法评估 n-GaN 加工表面

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
武田健太郎;渡久地政周,佐藤威友
通讯作者：
渡久地政周,佐藤威友

DOI：
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作者：
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Sato Taketomo其他文献

Self-terminating contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching for fabricating highly uniform recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs)

用于制造高度均匀凹栅 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的自终止非接触光电化学 (CL-PEC) 蚀刻

DOI：
10.1063/5.0051045
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Toguchi Masachika;Miwa Kazuki;Horikiri Fumimasa;Fukuhara Noboru;Narita Yoshinobu;Ichikawa Osamu;Isono Ryota;Tanaka Takeshi;Sato Taketomo
通讯作者：
Sato Taketomo

Theoretical Study on Anisotropic Magnetoresistance Effects of Arbitrary Directions of Current and Magnetization for Ferromagnets: Application to Transverse Anisotropic Magnetoresistance Effect

铁磁体任意电流和磁化方向的各向异性磁阻效应的理论研究：在横向各向异性磁阻效应中的应用

DOI：
10.7566/jpsj.91.044701
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Physical Society of Japan
影响因子：
0
作者：
Toguchi Masachika;Miwa Kazuki;Horikiri Fumimasa;Fukuhara Noboru;Narita Yoshinobu;Ichikawa Osamu;Isono Ryota;Tanaka Takeshi;Sato Taketomo;S.Kokado and M.Tsunoda
通讯作者：
S.Kokado and M.Tsunoda

確率バックステッピング法によるセンサノイズの影響を考慮した宇宙機の姿勢追従制御系設計

考虑传感器噪声影响的随机反步法航天器姿态跟踪控制系统设计

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Toguchi Masachika;Miwa Kazuki;Horikiri Fumimasa;Fukuhara Noboru;Narita Yoshinobu;Ichikawa Osamu;Isono Ryota;Tanaka Takeshi;Sato Taketomo;S.Kokado and M.Tsunoda;宮澤実央，佐藤訓志
通讯作者：
宮澤実央，佐藤訓志

Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques

使用光电化学技术对感应耦合等离子体反应离子蚀刻引起的 n 型 GaN 表面损伤进行深度分析

DOI：
10.35848/1882-0786/abb787
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Yamada Shinji;Takeda Kentaro;Toguchi Masachika;Sakurai Hideki;Nakamura Toshiyuki;Suda Jun;Kachi Tetsu;Sato Taketomo
通讯作者：
Sato Taketomo