Low-damage Processing of Nitride Semiconductors Based on Self-stoping Oxdization and Transistor Applications
Low-damage Processing of Nitride Semiconductors Based on Self-stoping Oxdization and Transistor Applications
基于自停止氧化的氮化物半导体低损伤加工及晶体管应用
批准号：
17H03224
负责人：
Sato Taketomo
金额：
$11.56万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
北海道大学量子综合电子研究中心
北海道大学量子综合电子研究中心
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Precise control in recessed-gate etching for AlGaN/GaN HEMTs by utilizing photo- electrochemical reactions
利用光电化学反应精确控制 AlGaN/GaN HEMT 的凹栅蚀刻
利用光电化学反应精确控制 AlGaN/GaN HEMT 的凹栅蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Komatsu, M. Toguchi, and T. Sato]
通讯作者：
and T. Sato
Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application
用于 GaN HEMT 应用的简单光电化学蚀刻
用于 GaN HEMT 应用的简单光电化学蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, M. Toguchi, K. Miwa, and T. Sato]
通讯作者：
and T. Sato
Contactless Photoelectrochemical Etching of n-GaN in K2S2O8 solution
K2S2O8 溶液中非接触式光电化学刻蚀 n-GaN
K2S2O8 溶液中非接触式光电化学刻蚀 n-GaN
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, T. Yoshida, and T. Sato]
通讯作者：
and T. Sato
電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価
使用电化学阻抗法评估 n-GaN 加工表面
使用电化学阻抗法评估 n-GaN 加工表面
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[武田健太郎, 渡久地政周,佐藤 威友]
通讯作者：
渡久地政周,佐藤 威友
共 55 条
Development of wet etching technology for nitride semiconductors using strong oxidizing agents and application to transistors
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批准号：20H02175
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.48万
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财政年份：2020
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负责人：Sato Taketomo
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依托单位：
海外基金