权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Development of wet etching technology for nitride semiconductors using strong oxidizing agents and application to transistors

使用强氧化剂的氮化物半导体湿法蚀刻技术的开发及其在晶体管中的应用

基本信息

批准号：
20H02175
负责人：
Sato Taketomo
金额：
$ 11.48万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02175/
关键词：
窒化物半導体ウェットエッチング電気化学反応窒化物半導

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（29）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター・ホームページ

北海道大学量子综合电子研究中心主页

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Effect of the parallel conduction on the current linearity in AlGaN/GaN MIS-HEMTs

并联传导对 AlGaN/GaN MIS-HEMT 电流线性度的影响

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryota Ochi;Taketomo Sato
通讯作者：
Taketomo Sato

Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical Etching

通过低损伤非接触光电化学刻蚀制造凹栅 AlGaN/GaN HEMT

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Toguchi;K. Miwa;F. Horikiri;N. Fukuhara;Y. Narita;O. Ichikawa;R. Isono;T. Tanaka;and T. Sato
通讯作者：
and T. Sato

コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製

非接触光电化学刻蚀制备凹栅AlGaN/GaN HEMT

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
阪東泰河;森翔平;荒川元孝;大西詠子;山内正憲;金井浩;渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友
通讯作者：
渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友

Low-Damage Etching of Nitride Semiconductors Utilizing Photo-Electrochemical Reactions

利用光电化学反应对氮化物半导体进行低损伤蚀刻

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
小川泰信;野澤悟徳;田中良昌;橋本大志;大山伸一郎;津田卓雄;藤原均;西村耕司;宮岡宏;中村卓司;藤井良一;Haggstrom Ingemar;Heinselman Craig;Taketomo Sato
通讯作者：
Taketomo Sato

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Sato Taketomo其他文献

光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用

利用光电化学反应对氮化物半导体进行低损伤蚀刻及其在电子器件中的应用

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告
影响因子：
0
作者：
Kumazaki Yusuke;Uemura Keisuke;Sato Taketomo;Hashizume Tamotsu;植村圭佑，松本悟，渡久地政周，伊藤圭亮，佐藤威友
通讯作者：
植村圭佑，松本悟，渡久地政周，伊藤圭亮，佐藤威友

Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride Power and RF Devices

氮化镓功率和射频器件的光电化学刻蚀技术

DOI：
10.1109/tsm.2019.2944844
发表时间：
2019
期刊：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
影响因子：
2.7
作者：
Horikiri Fumimasa;Sato Taketomo;Fukuhara Noboru;Ohta Hiroshi;Asai Naomi;Narita Yoshinobu;Yoshida Takehiro;Mishima Tomoyoshi;Toguchi Masachika;Miwa Kazuki
通讯作者：
Miwa Kazuki

GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性③加熱によるエッチング速度の向上

GaN光电化学（PEC）蚀刻的可能性③通过加热提高蚀刻速度

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumazaki Yusuke;Uemura Keisuke;Sato Taketomo;Hashizume Tamotsu;植村圭佑，松本悟，渡久地政周，伊藤圭亮，佐藤威友;三輪和希，大神洸貴，渡久地政周，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友;堀切文正，福原昇，太田博，浅井直美，成田好伸，吉田丈洋，三島友義，渡久地政周，三輪和希，大神洸貴，佐藤威友
通讯作者：
堀切文正，福原昇，太田博，浅井直美，成田好伸，吉田丈洋，三島友義，渡久地政周，三輪和希，大神洸貴，佐藤威友

電気化学的手法を用いたICP-RIE加工n-GaN表面の評価

使用电化学方法评估 ICP-RIE 处理的 n-GaN 表面

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumazaki Yusuke;Uemura Keisuke;Sato Taketomo;Hashizume Tamotsu;植村圭佑，松本悟，渡久地政周，伊藤圭亮，佐藤威友;三輪和希，大神洸貴，渡久地政周，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友;堀切文正，福原昇，太田博，浅井直美，成田好伸，吉田丈洋，三島友義，渡久地政周，三輪和希，大神洸貴，佐藤威友;渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，市川磨，磯野僚多，田中丈士，佐藤威友;武田健太郎，山田真嗣，渡久地政周，加地徹，佐藤威友
通讯作者：
武田健太郎，山田真嗣，渡久地政周，加地徹，佐藤威友

Theoretical Study on Anisotropic Magnetoresistance Effects of Arbitrary Directions of Current and Magnetization for Ferromagnets: Application to Transverse Anisotropic Magnetoresistance Effect

铁磁体任意电流和磁化方向的各向异性磁阻效应的理论研究：在横向各向异性磁阻效应中的应用

DOI：
10.7566/jpsj.91.044701
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Physical Society of Japan
影响因子：
0
作者：
Toguchi Masachika;Miwa Kazuki;Horikiri Fumimasa;Fukuhara Noboru;Narita Yoshinobu;Ichikawa Osamu;Isono Ryota;Tanaka Takeshi;Sato Taketomo;S.Kokado and M.Tsunoda
通讯作者：
S.Kokado and M.Tsunoda