Development of wet etching technology for nitride semiconductors using strong oxidizing agents and application to transistors
Development of wet etching technology for nitride semiconductors using strong oxidizing agents and application to transistors
使用强氧化剂的氮化物半导体湿法蚀刻技术的开发及其在晶体管中的应用
批准号：
20H02175
负责人：
Sato Taketomo
金额：
$11.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Effect of the parallel conduction on the current linearity in AlGaN/GaN MIS-HEMTs
并联传导对 AlGaN/GaN MIS-HEMT 电流线性度的影响
并联传导对 AlGaN/GaN MIS-HEMT 电流线性度的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryota Ochi, Taketomo Sato]
通讯作者：
Taketomo Sato
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター・ホームページ
北海道大学量子综合电子研究中心主页
北海道大学量子综合电子研究中心主页
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by Low-Damage Contactless Photo-Electrochemical Etching
通过低损伤非接触光电化学刻蚀制造凹栅 AlGaN/GaN HEMT
通过低损伤非接触光电化学刻蚀制造凹栅 AlGaN/GaN HEMT
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Toguchi, K. Miwa, F. Horikiri, N. Fukuhara, Y. Narita, O. Ichikawa, R. Isono, T. Tanaka, and T. Sato]
通讯作者：
and T. Sato
コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲートAlGaN/GaN HEMT の作製
非接触光电化学刻蚀制备凹栅AlGaN/GaN HEMT
非接触光电化学刻蚀制备凹栅AlGaN/GaN HEMT
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[阪東泰河, 森 翔平, 荒川元孝, 大西詠子, 山内正憲, 金井 浩, 渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友]
通讯作者：
渡久地政周，三輪和希，堀切文正，福原昇，成田好伸，吉田丈洋，佐藤威友
Low-Damage Etching of Nitride Semiconductors Utilizing Photo-Electrochemical Reactions
利用光电化学反应对氮化物半导体进行低损伤蚀刻
利用光电化学反应对氮化物半导体进行低损伤蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小川 泰信, 野澤 悟徳, 田中 良昌, 橋本 大志, 大山 伸一郎, 津田 卓雄, 藤原 均, 西村 耕司, 宮岡 宏, 中村 卓司, 藤井 良一, Haggstrom Ingemar, Heinselman Craig, Taketomo Sato]
通讯作者：
Taketomo Sato
共 27 条
Low-damage Processing of Nitride Semiconductors Based on Self-stoping Oxdization and Transistor Applications
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批准号：17H03224
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.56万
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财政年份：2017
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负责人：Sato Taketomo
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依托单位：
海外基金