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Low-temperature synthesis of mono-like III-V compound thin films for ubiquitous solar cells

用于普遍太阳能电池的类单晶III-V族化合物薄膜的低温合成

基本信息

批准号：
17H04918
负责人：
Toko Kaoru
金额：
$ 13.98万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H04918/
关键词：
太陽電池薄膜結晶成長 GaAs

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

High optical performance of pseudo-single-crystal semiconductors formed on glass using layer-exchanged Ge seed layer

使用层交换Ge种子层在玻璃上形成的赝单晶半导体的高光学性能

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Nishida;T. Suemasu;and K. Toko
通讯作者：
and K. Toko

Group IV semiconductor thin films on insulators: polycrystallization and device applications

绝缘体上的 IV 族半导体薄膜：多晶化和器件应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Imajo;K. Moto;R. Yoshimine;T. Suemasu;and K. Toko;K. Toko
通讯作者：
K. Toko

High photoresponsivity in a GaAs film synthesized on glass using a pseudo-single-crystal Ge seed layer

DOI：
10.1063/1.5091714
发表时间：
2019-04-08
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Nishida, T.;Moto, K.;Toko, K.
通讯作者：
Toko, K.

Photoresponsivity of a Pseudo-single-crystal GaAs Film Synthesized on Glass Using a Large-grained Ge Seed Layer for Solar Cell Applications

使用大晶粒 Ge 种子层在玻璃上合成的准单晶 GaAs 薄膜的光响应性，用于太阳能电池应用

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Nishida;K. Moto;T. Suemasu;and K. Toko
通讯作者：
and K. Toko

High-electron-mobility (370 cm2/Vs) polycrystalline Ge on an insulator formed by As-doped solid-phase crystallization

DOI：
10.1038/s41598-019-53084-7
发表时间：
2019-11-12
期刊：
SCIENTIFIC REPORTS
影响因子：
4.6
作者：
Saito, M.;Moto, K.;Toko, K.
通讯作者：
Toko, K.

DOI：
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作者：
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作者：
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Toko Kaoru其他文献

Sn Concentration Effects on Polycrystalline GeSn Thin Film Transistors

Sn浓度对多晶GeSn薄膜晶体管的影响

DOI：
10.1109/led.2021.3119014
发表时间：
2021
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Moto Kenta;Yamamoto Keisuke;Imajo Toshifumi;Suemasu Takashi;Nakashima Hiroshi;Toko Kaoru
通讯作者：
Toko Kaoru

XENONnT実験のための液体キセノン純化システムのコミッショニング

XENONnT 实验液氙净化系统的调试

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ito Keita;Yasutomi Yoko;Zhu Siyuan;Nurmamat Munisa;Tahara Masaki;Toko Kaoru;Akiyama Ryota;Takeda Yukiharu;Saitoh Yuji;Oguchi Tamio;Kimura Akio;Suemasu Takashi;加藤伸行他XENON Collaboration
通讯作者：
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射频溅射高光响应随机取向多晶 BaSi2 薄膜的生长条件：与 BaSi2 外延薄膜的比较

DOI：
10.35848/1882-0786/ac4676
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Koitabashi Ryota;Kido Kazuki;Hasebe Hayato;Yamashita Yudai;Toko Kaoru;Mesuda Masami;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi

Correlation of native defects between epitaxial films and polycrystalline BaSi2 bulks based on photoluminescence spectra

基于光致发光光谱的外延膜和多晶 BaSi2 块体之间的固有缺陷相关性

DOI：
10.7567/1882-0786/ab476f
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Sato Takuma;Yamashita Yudai;Xu Zhihao;Toko Kaoru;Gambarelli Serge;Imai Motoharu;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi

Ferrimagnetic-ferromagnetic phase transition in Au-doped Mn4N epitaxial films confirmed by x-ray magnetic circular dichroism

X射线磁圆二色性证实了Au掺杂Mn4N外延薄膜中的亚铁磁-铁磁相变

DOI：
10.1063/9.0000412
发表时间：
2023
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
Horiuchi Takumi;Komori Taro;Yasuda Tomohiro;Hirose Taku;Toko Kaoru;Amemiya Kenta;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi