Fundamental research on germanium-tin narrow wires for high-speed/low-power MOSFETs

高速/低功率MOSFET用锗锡细线的基础研究

• 批准号: 17H04919
• 负责人: KUROSAWA Masashi
• 金额: $ 15.56万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H04919/
• 关键词: ゲルマニウムスズ; 結晶成長; n型ドーピング; MOSFET; 偏析溶融成長; その場観察; IV族混晶

项目成果

ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果

掺杂剂种类对水下脉冲激光退火高浓度Ge1-xSnx薄膜的影响

• 发表时间: 2018
• 作者: 髙橋恒太;黒澤昌志;池上浩;坂下満男;中塚理;財満鎭明
• 通讯作者: 財満鎭明

絶縁膜上における極薄Ge1－xSnx薄膜の固相成長

绝缘膜上超薄Ge1-xSnx薄膜的固相生长

• 发表时间: 2020
• 作者: 大石遼;中塚理;黒澤昌志
• 通讯作者: 黒澤昌志

低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性

低温MBE法制备p型单晶Ge1-xSnx薄膜的热电性能

• 发表时间: 2017
• 作者: 今井志明;髙橋恒太;中塚理;財満鎭明;黒澤昌志
• 通讯作者: 黒澤昌志

エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶（Ge1-xSnx）薄膜の結晶成長

用于能量收集应用的 IV 族混合晶体 (Ge1-xSnx) 薄膜的晶体生长

• 发表时间: 2018
• 期刊: 日本熱電学会学会誌
• 作者: 黒澤昌志

革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製 ～ド素人が熱電の分野に飛び込んで～

创建新型 IV 族混晶热电材料，用于实现创新的多功能传感器模块 - 业余爱好者跳入热电领域 -

• 发表时间: 2018
• 作者: 大石遼;中塚理;黒澤昌志;黒澤昌志
• 通讯作者: 黒澤昌志