Fundamental research on germanium-tin narrow wires for high-speed/low-power MOSFETs
Fundamental research on germanium-tin narrow wires for high-speed/low-power MOSFETs
高速/低功率MOSFET用锗锡细线的基础研究
批准号：
17H04919
负责人：
KUROSAWA Masashi
金额：
$15.56万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1-xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果
掺杂剂种类对水下脉冲激光退火高浓度Ge1-xSnx薄膜的影响
掺杂剂种类对水下脉冲激光退火高浓度Ge1-xSnx薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[髙橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明]
通讯作者：
財満鎭明
絶縁膜上における極薄Ge1－xSnx薄膜の固相成長
绝缘膜上超薄Ge1-xSnx薄膜的固相生长
绝缘膜上超薄Ge1-xSnx薄膜的固相生长
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大石遼, 中塚理, 黒澤昌志]
通讯作者：
黒澤昌志
低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性
低温MBE法制备p型单晶Ge1-xSnx薄膜的热电性能
低温MBE法制备p型单晶Ge1-xSnx薄膜的热电性能
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[今井志明, 髙橋恒太, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志]
通讯作者：
黒澤昌志
エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶（Ge1-xSnx）薄膜の結晶成長
用于能量收集应用的 IV 族混合晶体 (Ge1-xSnx) 薄膜的晶体生长
用于能量收集应用的 IV 族混合晶体 (Ge1-xSnx) 薄膜的晶体生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
日本熱電学会学会誌
影响因子：
--
作者：
[黒澤昌志]
通讯作者：
黒澤昌志
革新的多機能センサモジュール実現に向けた新しいIV族混晶熱電物質の創製 ～ド素人が熱電の分野に飛び込んで～
创建新型 IV 族混晶热电材料，用于实现创新的多功能传感器模块 - 业余爱好者跳入热电领域 -
创建新型 IV 族混晶热电材料，用于实现创新的多功能传感器模块 - 业余爱好者跳入热电领域 -
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大石遼, 中塚理, 黒澤昌志, 黒澤昌志]
通讯作者：
黒澤昌志
共 9 条
海外基金