Silicene surrounded by oxide -quality improvement and its application to transistors
氧化物包围硅烯的质量改进及其在晶体管中的应用
基本信息
- 批准号:17KK0125
- 负责人:
- 金额:$ 8.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018 至 2023
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ケイ素(Si)原子1層の層状物質であるシリセンはトポロジカル絶縁体であることが予想されており、次世代の高速・省エネデバイスへの活用が期待される。基課題では、熱酸化プロセスにおける酸化反応自己停止を用いることで、酸化膜で囲まれたシリセン(シリセンインオキサイド:SIO)を作製することを目指している。本研究ではSIO構造の高品質化を目的として、Siウェハ酸化メカニズムの解明と電気特性測定結果をもとにした界面欠陥評価方法の開発を行う。開発した評価方法を用いて得た欠陥の情報をSIO構造作製プロセスにフィードバックし、界面欠陥の少ないSIO作製プロセスの開発を目指すことを目的とする。2022年度は新型コロナウイルス感染拡大による影響が一部緩和されたものの、引き続き海外研究機関に渡航することが叶わなかった。本目的を達成するための代替手段として国内で実施可能な研究を進め、以下の成果を得た。1)キャリアトラップによる界面欠陥活性化プロセスの解明:Siウェハの熱酸化時に生成される点欠陥にSiウェハのキャリアがトラップされることによって点欠陥が化学的に活性となり、SiO2/Si界面での反応が促進されることを明らかにした。本研究によれば、高品質SOI構造作製のためにはキャリア密度の少ないSIO基板の利用が有用であると予測される。2) SiO2/Si界面反応における準安定状態O2分子の存在証明:界面に存在する欠陥にO2分子がトラップされる際、準安定状態になっていることを光電子分光により証明した。準安定O2分子はSi表面での酸化過程でも存在することが既報である。このことはSiO2/Si界面酸化をSi表面酸化のアナロジーとして考察できることを示しており、Si表面酸化の研究を進めることが界面酸化停止条件の探索に有用であると期待される。
ケ イ element (Si) atomic layer 1 の layered material で あ る シ リ セ ン は ト ポ ロ ジ カ ル never try body で あ る こ と が to think さ れ て お り, next generation の high-speed, province エ ネ デ バ イ ス へ の use が expect さ れ る. Base subject で は, hot acidification プ ロ セ ス に お け る acidification to their 応 stop を with い る こ と で, acidification membrane で 囲 ま れ た シ リ セ ン (シ リ セ ン イ ン オ キ サ イ ド : the SIO) を cropping す る こ と を refers し て い る. This study で は the SIO structure の high-quality を purpose と し て, Si ウ ェ ハ acidification メ カ ニ ズ ム の interpret と electric 気 measuring results を も と に し owe 陥 た interface evaluation method 価 の open 発 う を line. Open 発 し を 価 た evaluation method with い て have た owe 陥 の intelligence を the SIO structure cropping プ ロ セ ス に フ ィ ー ド バ ッ ク し, interface owe 陥 の less な い the SIO cropping プ ロ セ ス の open 発 を refers す こ と を purpose と す る. 2022 new コ は ロ ナ ウ イ ル ス infection company, big に よ る influence が a moderate さ れ た も の の and き 続 き overseas study machine masato に tayouan す る こ と が leaf わ な か っ た. This purpose を reached す る た め の instead of means と し て domestic で may be applied を め, the following の な research を た. 1) the キ ャ リ ア ト ラ ッ プ に よ る interface owe 陥 activeness プ ロ セ ス の interpret: Si ウ ェ ハ の thermal acidification に generated さ れ る point owe 陥 に Si ウ ェ ハ の キ ャ リ ア が ト ラ ッ プ さ れ る こ と に よ っ て point owe 陥 が chemical に activity と な り, SiO2 / Si interface で の anti 応 が promote さ れ る こ と を Ming ら か に し た. This study に よ れ ば, SOI structure for high quality の た め に は キ ャ リ ア less density の な い の the SIO substrate using が useful で あ る と be さ れ る. 2) the SiO2 / Si interface 応 に お け る quasi stable state の O2 molecules exist to prove: interface に exist す る owe 陥 に O2 molecules が ト ラ ッ プ さ れ る interstate, quasi stable state に な っ て い る こ と を photoelectron spectroscopic に よ り prove し た. The で <s:1> acidification process on the surface of the <s:1> Si of the quasi-stable O2 molecule で で exists and する <s:1> とが reports である. こ の こ と は SiO2 / Si interface acidification acidification を Si surface の ア ナ ロ ジ ー と し て investigation で き る こ と を shown し て お り, Si surface acidification を の research into め る こ と が interface acidification stop condition の useful exploration に で あ る と expect さ れ る.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
SiO2/Si(001)界面酸化反応におけるn型とp型の比較
SiO2/Si(001)界面氧化反应中n型和p型的比较
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:津田 泰孝;小川 修一;吉越 章隆;坂本 徹哉;冨永 亜希;山本 善貴;山本 幸男;高桑 雄二
- 通讯作者:高桑 雄二
Si(551)表面の表面構造解析I
Si(551)表面I的表面结构分析
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:内藤 完;中塚 聡平;小川 修一;虻川 匡司;江口 豊明;服部 賢;服部 梓;黒田 理人
- 通讯作者:黒田 理人
Ni箔上におけるグラフェンおよびh-BNの光電子顕微鏡による成長観察
使用光电子显微镜观察镍箔上石墨烯和 h-BN 的生长
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:遊佐龍之介;志水哲也;小川修一;虻川匡司
- 通讯作者:虻川匡司
Si(551)表面のW-RHEEDとSTMによる構造解析
利用 W-RHEED 和 STM 对 Si(551) 表面进行结构分析
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:内藤 完;中塚 聡平;小川 修一;虻川 匡司;江口 豊明;服部 賢;服部 梓;黒田 理人
- 通讯作者:黒田 理人
高運動エネルギーO2分子に対するグラフェンのガスバリア性
石墨烯对高动能O2分子的阻气性能
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:小川修一;Hisato Yamaguchi;Edward F. Holby;山田貴壽;吉越章隆;高桑雄二
- 通讯作者:高桑雄二
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小川 修一其他文献
SiO_2/Si(001)界面における酸化誘起欠陥と酸素分子の反応過程
SiO_2/Si(001)界面氧化缺陷与氧分子的反应过程
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
S.Ogawa;A.Yoshigoe;S.Ishizuka;Y.Teraoka;Y.Takakuwa;吉越 章隆;吉越 章隆;山本 喜久;中野 卓哉;岡田 美智雄;富樫 秀晃;上浦 良文;山本 喜久;Akitaka Yoshigoe;小川 修一 - 通讯作者:
小川 修一
Metastable moleculary chemisorbed oxygen adsorbate on Si(111)-7x7 sufaceo bserved by synchrotron radiation real-time photoelectron spectroscopy
同步辐射实时光电子能谱观察到Si(111)-7x7表面亚稳态分子化学吸附氧吸附物
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
吉越 章隆;寺岡 有殿;吉越 章隆;田川 雅人;松本 祥志;高橋 真;山本 喜久;Yuden Teraoka;Akitaka Yoshigoe;吉越 章隆;小川 修一;富樫 秀晃;山本 喜久;細井 卓治;S. Ogawa;Akitaka Yoshigoe;Akitaka Yoshigoe - 通讯作者:
Akitaka Yoshigoe
Oxidation reaction-kinetics on Ti(0001) surface studied by real-time monitoring methods of XPS,UPS and RHEED combined with AES
XPS、UPS、RHEED实时监测结合AES研究Ti(0001)表面氧化反应动力学
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
吉越 章隆;寺岡 有殿;吉越 章隆;田川 雅人;松本 祥志;高橋 真;山本 喜久;Yuden Teraoka;Akitaka Yoshigoe;吉越 章隆;小川 修一;富樫 秀晃;山本 喜久;細井 卓治;S. Ogawa;Akitaka Yoshigoe;Akitaka Yoshigoe;Kousuke Moritani;M. Okada;Y. Takakuwa - 通讯作者:
Y. Takakuwa
Si(110)-16x2面のリアルタイムSR-SPS観察と自己触媒反応モデル
Si(110)-16x2表面的实时SR-SPS观察和自催化反应模型
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
吉越章隆;寺岡有殿;吉越 章隆;小川 修一;富樫 秀晃;山本 喜久 - 通讯作者:
山本 喜久
小川 修一的其他文献
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{{ truncateString('小川 修一', 18)}}的其他基金
Catalytic application of mechanochemical effects by controlling material strain
通过控制材料应变来催化应用机械化学效应
- 批准号:
23K04578 - 财政年份:2023
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歪み誘起熱酸化プロセスを用いたシリコン極薄酸化膜形成機構の解明
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- 批准号:
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- 资助金额:
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相似海外基金
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二次元層状物質を導入した反転積層窒化物深紫外発光素子の研究
二维层状材料倒置堆叠氮化物深紫外发光器件研究
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利用二维层状材料实现红外至太赫兹发光器件
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二次元層状物質の基板としての六方窒化ホウ素(h-BN)の評価
六方氮化硼(h-BN)作为二维层状材料基材的评价
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18K14083 - 财政年份:2018
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電界効果によるバンド制御を用いたグラフェン,二次元層状物質における新規物性の開拓
利用电场效应进行能带控制,开发石墨烯和二维层状材料的新物理特性
- 批准号:
14J00228 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 8.9万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows














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