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One-dimensional metallic state of dislocations in topological insulators
拓扑绝缘体中位错的一维金属态
基本信息
- 批准号：18H01692
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High-Density Well-Aligned Dislocations Introduced by Plastic Deformation in Bi1-xSbx Topological Insulator Single Crystals
Bi1-xSbx 拓扑绝缘体单晶中塑性变形引入的高密度对齐位错
- DOI：10.3390/cryst9060317
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：2.7
- 作者：Tokumoto Yuki;Fujiwara Riku;Edagawa Keiichi
- 通讯作者：Edagawa Keiichi
磁性トポロジカル絶縁体MnBi2Te4の結晶作製と電気伝導評価
磁拓扑绝缘体MnBi2Te4晶体制备及电导率评估
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Reina YAMATAKE;Masato SHIINOKI;Yoshihiro KOBAYASHI ;Tadahiko MASAKI;Shinsuke SUZUKI;服部裕也，徳本有紀，枝川圭一
- 通讯作者：服部裕也，徳本有紀，枝川圭一
Pb(Bi,Sb)2(Te,Se)4トポロジカル絶縁体の作製と評価
Pb(Bi,Sb)2(Te,Se)4拓扑绝缘体的制备与评价
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toyonaga Kotoba;Yamada Tsunetomo;De Boissieu Marc;Perez Oliver;Fertey Pierre;Takakura Hiroyuki;杉本恭一，服部裕也，徳本有紀，枝川圭一
- 通讯作者：杉本恭一，服部裕也，徳本有紀，枝川圭一
微細サンプルにおけるBi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気抵抗測定
微观样品中 Bi-Sb 拓扑绝缘体位错的电阻测量
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：濱崎拡;徳本有紀;枝川圭一
- 通讯作者：枝川圭一
Bulk insulation and surface electrons' properties of Pb(Bi,Sb)2Te4 Topological Insulator
Pb(Bi,Sb)2Te4拓扑绝缘体的体绝缘和表面电子特性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Hattori;Y.Tokumoto;K. Edagawa
- 通讯作者：K. Edagawa
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Edagawa Keiichi其他文献
Research for Long-Period Structure in Mg Alloy using High Pressure
高压镁合金长周期结构研究
- DOI：
10.4131/jshpreview.30.178 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tokumoto Yuki;Fujiwara Riku;Edagawa Keiichi;MATSUSHITA Masafumi - 通讯作者：
MATSUSHITA Masafumi
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Development of new high-performance thermoelectric conversion materials using dislocations in topological insulators
利用拓扑绝缘体位错开发新型高性能热电转换材料
- 批准号：
16K14371 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
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Photonic band-gap formation and critical state in 3-d photonic quasicrystals
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15H03572 - 财政年份：2015
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$ 11.07万 - 项目类别：
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高性能纳米结构(Bi,Sb)2Te3纳米材料的开发
- 批准号：
DP150100056 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Discovery Projects
Low-dimensional electronic magneto-transport in epitaxial ultra-thin Bi and Bi-Sb alloy films: impurities, structure, confinement and disorder.
外延超薄 Bi 和 Bi-Sb 合金薄膜中的低维电子磁输运：杂质、结构、限制和无序。
- 批准号：
254443332 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Research Grants
Preparation of Bi-Sb semiconductor alloys by electro-deposition and its thermo-electric properties
电沉积制备Bi-Sb半导体合金及其热电性能
- 批准号：
10650306 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ヘビーフェルミオンが如何に半導体へ転移するか; CeRhX (X=Bi, Sb, As)系での検証
重费米子如何转移到半导体；在CeRhX（X=Bi、Sb、As）系统中验证
- 批准号：
08640437 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Bi-Sb合金の高電場效果と電子正孔プラズマの生成
Bi-Sb合金的高电场效应与电子空穴等离子体的产生
- 批准号：
X00095----964053 - 财政年份：1974
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
熱電冷却素子材料(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3
热电致冷元件材料(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3
- 批准号：
X40440-----51111 - 财政年份：1965
- 资助金额：
$ 11.07万 - 项目类别：
Particular Research