Fabrication of room-temperature multiferroic materials by rare-earth iron oxide system with triangular lattices

三角晶格稀土氧化铁系室温多铁材料的制备

基本信息

  • 批准号:
    18H02057
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2018-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
エピタキシャル YbFe2O4薄膜のドメイン構造制御と磁気特性
外延YbFe2O4薄膜的畴结构控制及磁性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Shuang;S. Hatayama;Y. Sutou;D. Ando;J. Koike;H. Tanimura;T. Ichitsubo;野崎 真由 ,大田 怜佳 ,阪上 拓巳 ,狩野 旬 ,池田 直 ,藤井 達生;野崎 真由 ,阪上 拓巳 ,狩野 旬 ,池田 直 ,藤井 達生
  • 通讯作者:
    野崎 真由 ,阪上 拓巳 ,狩野 旬 ,池田 直 ,藤井 達生
スパッタ法によるYbFe2O4/Fe3O4多層膜の作製と磁気特性
溅射法制备YbFe2O4/Fe3O4多层薄膜及磁性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    阪上 拓巳;西村 和泰;中西 真;狩野 旬;池田 直;藤井 達生
  • 通讯作者:
    藤井 達生
液相法によるAl置換YbFe2O4の合成
液相法合成Al取代YbFe2O4
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉木幸宏;阪上拓巳;伊藤亮介;中西真;藤井達生;池田直
  • 通讯作者:
    池田直
Epitaxial YbFe2O4 thin films on Fe3O4 buffer layers by reactive sputtering technique
采用反应溅射技术在 Fe3O4 缓冲层上外延 YbFe2O4 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Nakahata;K. Nishimura;N. Ikeda;and T. Fujii
  • 通讯作者:
    and T. Fujii
三角格子系希土類鉄酸化物におけるエピタキシャル薄膜の面内配向制御
三角晶格稀土铁氧化物外延薄膜的面内取向控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    齊藤 雄太;須藤 祐司;フォンス ポール;コロボフ アレクサンダー;進藤 怜史;畑山 祥吾;雙 逸;コジーナ ゼニア;スケルトン ジョナサン;小林 啓介;藤井達生
  • 通讯作者:
    藤井達生
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

FUJII Tatsuo其他文献

FUJII Tatsuo的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('FUJII Tatsuo', 18)}}的其他基金

Induced magnetization on non-magnetic nanoparticles by surface structural relaxations
通过表面结构弛豫对非磁性纳米粒子诱导磁化
  • 批准号:
    26630319
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Development of functional iron titanium complex oxide films by control of mixed-valence state
通过混合价态控制开发功能性铁钛复合氧化物薄膜
  • 批准号:
    23350092
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of new recyclable materials based on iron oxides for nano-devices
开发用于纳米器件的基于氧化铁的新型可回收材料
  • 批准号:
    14350353
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Controlled spin-polarized electron transport of oxide magnetic semiconductor films of hematite-ilumenite solid solutions by the exchange coupling
交换耦合控制赤铁矿-钛铝矿固溶体氧化物磁性半导体薄膜的自旋极化电子传输
  • 批准号:
    11650697
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Developments of Securities Markets and Evolution of Financial Accounting Systems in Asian Countries including India
印度等亚洲国家证券市场的发展和财务会计制度的演变
  • 批准号:
    11630143
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

分子線エピタキシー法による鉄系超伝導Ba122エピタキシャル薄膜の物性開拓
利用分子束外延技术开发铁基超导 Ba122 外延薄膜的物理性能
  • 批准号:
    22KJ1252
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
遷移金属酸化物のエピタキシャル薄膜をゴムのように伸縮する挑戦
使过渡金属氧化物外延薄膜像橡胶一样拉伸的挑战
  • 批准号:
    23K04608
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
窒化アルミニウム基エピタキシャル薄膜を用いた強誘電性サイズ効果の解明
使用氮化铝基外延薄膜阐明铁电尺寸效应
  • 批准号:
    21H01617
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新奇強誘電体材料ペロブスカイト型酸窒化物エピタキシャル薄膜の合成および物性評価
新型铁电材料钙钛矿型氮氧化物外延薄膜的合成及性能评价
  • 批准号:
    12J08258
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
鉄系超伝導物質のエピタキシャル薄膜成長と超伝導デバイスの試作
铁基超导材料外延薄膜生长及超导器件原型制作
  • 批准号:
    10J08411
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エピタキシャル薄膜を用いたリチウム電池電極の反応解析
使用外延薄膜的锂电池电极反应分析
  • 批准号:
    10J56282
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁性強誘電体エピタキシャル薄膜の磁性-誘電性相関現象
磁性铁电外延薄膜中的磁介电相关现象
  • 批准号:
    08J05725
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
層状コバルト酸化物エピタキシャル薄膜を用いた高性能熱電変換材料設計に関する研究
基于层状氧化钴外延薄膜的高性能热电转换材料设计研究
  • 批准号:
    07J03272
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Si上の光-電子融合デバイス集積を目指したβ-FeSi_2エピタキシャル薄膜合成
β-FeSi_2外延薄膜合成用于硅上集成光电器件
  • 批准号:
    16656202
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
非鉛強誘電体エピタキシャル薄膜における電界誘起相転移を用いた巨大圧電応答
无铅铁电外延薄膜中利用电场诱导相变的巨压电响应
  • 批准号:
    16656098
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了