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Development of a plasma bonding process by reaction control of plasma-liquid interface
通过等离子体-液体界面的反应控制开发等离子体键合工艺
基本信息
- 批准号：21K18619
- 负责人：
- 金额：$ 4.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2021
- 资助国家：日本
- 起止时间：2021-07-09 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
樹脂/金属異材接合のためのプラズマジェット熱圧接法の開発
树脂/金属异种材料等离子射流热压焊接方法的开发
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：内田儀一郎;竹中弘祐;節原裕一
- 通讯作者：節原裕一
大気圧RFプラズマジェットを用いた異材接合プロセスの開発
使用大气压射频等离子射流开发异种材料连接工艺
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：陣田尭哉;中本壮太郞;都甲将;竹中弘祐;内田儀一郎;節原裕一
- 通讯作者：節原裕一
大気圧非平衡プラズマジェットを用いた有機材料－金属異材接合技術の開発
常压非平衡等离子体射流有机材料-金属异种材料键合技术的开发
- DOI：
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：竹中弘祐;中本壮太郞;小鑓亮輔;都甲将;内田儀一郎;節原裕一
- 通讯作者：節原裕一
Development of a non-thermal atmospheric pressure plasma-assisted technology for the direct joining of metals with dissimilar materials
开发用于金属与异种材料直接连接的非热常压等离子体辅助技术
- DOI：10.1016/j.jmapro.2022.01.041
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：6.2
- 作者：Kosuke Takenaka;Rikuro Machida;Tetsuya Bono;Akiya Jinda;Susumu Toko;Giichiro Uchida;Yuichi Setsuhara
- 通讯作者：Yuichi Setsuhara
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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Low-temperature formation of high-mobility a-InGaZnOx films using plasma-enhanced reactive processes
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- 影响因子：1.5
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Takenaka Kosuke;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
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- 影响因子：1.5
- 作者：
Takenaka Kosuke;Yoshitani Tomoki;Endo Masashi;Hirayama Hiroyuki;Toko Susumu;Uchida Giichiro;Ebe Akinori;Setsuhara Yuichi - 通讯作者：
Setsuhara Yuichi
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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