Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition

利用半导体-金属过渡开发零TCR薄膜

基本信息

  • 批准号：
    21K18805
  • 负责人：
    Sutou Yuji
  • 金额：
    $ 4.08万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2021
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2021-07-09 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Electrical Conduction Mechanism of β-MnTe Thin Film with Wurtzite-Type Structure Using Radiofrequency Magnetron Sputtering
射频磁控溅射纤锌矿型β-MnTe薄膜的导电机制
  • DOI：
    10.1002/pssr.202100641
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Physica status solidi rapid research letters
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mihyeon Kim;Shunsuke Mori;Yi Shuang;Shogo Hatayama;Daisuke Ando;Yuji Sutou
  • 通讯作者：
    Yuji Sutou
リフトオフプロセスによるβ-MnTeフレーク試料の作製と熱量測定
剥离法制备β-MnTe片状样品并进行量热测量
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    森竣祐;須藤祐司
  • 通讯作者：
    須藤祐司
高比抵抗合金
高电阻率合金
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Cu2GeTe3の半導体/金属相変化を利用した比抵抗の低温度係数化
利用 Cu2GeTe3 的半导体/金属相变实现低电阻率温度系数
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    皆瀬陽平;双逸;安藤大輔;須藤祐司
  • 通讯作者：
    須藤祐司
高抵抗Fe-Cr-Al-Co合金の抵抗温度係数に及ぼす組成および熱処理条件の影響
成分和热处理条件对高阻Fe-Cr-Al-Co合金电阻温度系数的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    監物幸翼;安藤大輔;石田清仁;須藤祐司
  • 通讯作者：
    須藤祐司
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  • 影响因子：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji
  • 通讯作者：
    Sutou Yuji
Shape memory properties of Mg-Sc alloy
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
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  • 作者：
    Ogawa Yukiko;Ando Daisuke;Sutou Yuji;Koike Junichi
  • 通讯作者：
    Koike Junichi

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  • 资助金额：
    $ 4.08万
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