Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition
Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition
利用半导体-金属过渡开发零TCR薄膜
批准号：
21K18805
负责人：
Sutou Yuji
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
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Electrical Conduction Mechanism of β-MnTe Thin Film with Wurtzite-Type Structure Using Radiofrequency Magnetron Sputtering
射频磁控溅射纤锌矿型β-MnTe薄膜的导电机制
射频磁控溅射纤锌矿型β-MnTe薄膜的导电机制
DOI：
10.1002/pssr.202100641
发表时间：
2022
期刊：
Physica status solidi rapid research letters
影响因子：
--
作者：
[Mihyeon Kim, Shunsuke Mori, Yi Shuang, Shogo Hatayama, Daisuke Ando, Yuji Sutou]
通讯作者：
Yuji Sutou
リフトオフプロセスによるβ-MnTeフレーク試料の作製と熱量測定
剥离法制备β-MnTe片状样品并进行量热测量
剥离法制备β-MnTe片状样品并进行量热测量
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森竣祐, 須藤祐司]
通讯作者：
須藤祐司
高比抵抗合金
高电阻率合金
高电阻率合金
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Cu2GeTe3の半導体/金属相変化を利用した比抵抗の低温度係数化
利用 Cu2GeTe3 的半导体/金属相变实现低电阻率温度系数
利用 Cu2GeTe3 的半导体/金属相变实现低电阻率温度系数
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[皆瀬陽平, 双逸, 安藤大輔, 須藤祐司]
通讯作者：
須藤祐司
高抵抗Fe-Cr-Al-Co合金の抵抗温度係数に及ぼす組成および熱処理条件の影響
成分和热处理条件对高阻Fe-Cr-Al-Co合金电阻温度系数的影响
成分和热处理条件对高阻Fe-Cr-Al-Co合金电阻温度系数的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[監物幸翼, 安藤大輔, 石田清仁, 須藤祐司]
通讯作者：
須藤祐司
Development of self-lubricating tribology hard-coating showing a long tool life
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批准号：18K18932
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.08万
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财政年份：2018
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负责人：Sutou Yuji
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依托单位：
Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory
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批准号：18H02053
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2018
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负责人：Sutou Yuji
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依托单位：
A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
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批准号：15H04113
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.4万
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财政年份：2015
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负责人：Sutou Yuji
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依托单位：
海外基金