A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
批准号:
15H04113
负责人:
Sutou Yuji
金额:
$10.4万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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Impact of contact resistance on memory window in phase-change random access memory (PCRAM)
接触电阻对相变随机存取存储器 (PCRAM) 存储窗口的影响
DOI:
10.1007/s10825-016-0905-3
发表时间:
2016
期刊:
Journal of Computational Electronics
影响因子:
2.1
作者:
[J.S. An, C.M. Choi, S. Shindo, Y. Sutou, Y.W. Kwon, Y.H. Song]
通讯作者:
Y.H. Song
Cr2Ge2Te6を用いた相変化メモリの動作特性
Cr2Ge2Te6相变存储器的工作特性
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一]
通讯作者:
小池淳一
Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動
Cr-Ge-Te化合物薄膜的相变行为
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[畑山 祥吾, 進藤 怜史, 安藤 大輔, 須藤 祐司, 小池 淳一]
通讯作者:
小池 淳一
Contact resistivity change of GeCu2Te3 to W electrode by crystallization
GeCu2Te3 与 W 电极晶化过程中接触电阻率的变化
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Proceedings of the 27th Symposium on Phase Change Oriented Science
影响因子:
--
作者:
[S. Shindo, Y. Sutou, J. Koike, Y. Saito]
通讯作者:
Y. Saito
Phase chaneg behaviro of N-doped Cr-Ge-Te film
N掺杂Cr-Ge-Te薄膜的相变行为
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Shunag, S. Hatayama, S. Shindo, D. Ando, Y. Sutou, J. Koike]
通讯作者:
J. Koike
共 16 条
Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition
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批准号:21K18805
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2021
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负责人:Sutou Yuji
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依托单位:
Development of self-lubricating tribology hard-coating showing a long tool life
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批准号:18K18932
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2018
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负责人:Sutou Yuji
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依托单位:
Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory
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批准号:18H02053
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2018
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负责人:Sutou Yuji
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依托单位:
海外基金