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Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory

Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory
用于下一代非易失性存储器的基于 d 电子的相变硫属化物的开发
批准号：
18H02053
负责人：
Sutou Yuji
金额：
$11.23万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H02053/
关键词：
相変化メモリ不揮発性メモリアモルファス結晶化結晶多形転移アモルファス化相変化材料光電子分光局所構造結晶相転移伝導機構

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Inverse Resistance Change PCRAM with Cr2Ge2Te6
采用 Cr2Ge2Te6 的反向电阻变化 PCRAM
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Shogo Hatayama, Yuji Sutou, Satoshi Shindo, Yuta Saito, Yun-Heub Song, Daisuke Ando, and Junichi Koike, Shogo Hatayama and Yuji Sutou]
通讯作者： Shogo Hatayama and Yuji Sutou
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DOI： --
发表时间： 2018
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通讯作者： J. Koike
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通讯作者： 須藤 祐司，畑山 祥吾，森 竣祐，双 逸
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MnTe薄膜的光学和电子特性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Shunsuke Mori, Daisuke Ando, Yuji Sutou]
通讯作者： Yuji Sutou
共 66 条
    Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition
    • 批准号：
      21K18805
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Sutou Yuji
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Development of self-lubricating tribology hard-coating showing a long tool life
    • 批准号：
      18K18932
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Sutou Yuji
    • 依托单位：
      Tohoku University
    A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
    • 批准号：
      15H04113
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.4万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Sutou Yuji
    • 依托单位：
      Tohoku University
    海外基金