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Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory
用于下一代非易失性存储器的基于 d 电子的相变硫属化物的开发
基本信息
- 批准号：18H02053
- 负责人：
- 金额：$ 11.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Inverse Resistance Change PCRAM with Cr2Ge2Te6
采用 Cr2Ge2Te6 的反向电阻变化 PCRAM
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shogo Hatayama;Yuji Sutou;Satoshi Shindo;Yuta Saito;Yun-Heub Song;Daisuke Ando;and Junichi Koike;Shogo Hatayama and Yuji Sutou
- 通讯作者：Shogo Hatayama and Yuji Sutou
Cr2Ge2Te6-based PCRAM showing low resistance amorphous and high resistance cyrtsalline states
Cr2Ge2Te6 基 PCRAM 显示出低电阻非晶态和高电阻晶态
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Hatayama;Y. Sutou;D. Ando;J. Koike
- 通讯作者：J. Koike
省エネ・高速化に向けた新相変化メモリ材料開発
开发节能加速新型相变存储材料
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Mihyeon Kim;Shunsuke Mori;Yi Shuang;Shogo Hatayama;Daisuke Ando;Yuji Sutou;森竣祐，安藤大輔，須藤祐司;須藤 祐司，畑山 祥吾，森 竣祐，双 逸
- 通讯作者：須藤 祐司，畑山 祥吾，森 竣祐，双 逸
Optical and electronic properties of MnTe thin film
MnTe薄膜的光学和电子特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shunsuke Mori;Daisuke Ando;Yuji Sutou
- 通讯作者：Yuji Sutou
Structural change by annealing in sputtered MnTe film
溅射 MnTe 薄膜退火引起的结构变化
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shunsuke Mori;Daisuke Ando;Yuji Sutou
- 通讯作者：Yuji Sutou
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Sutou Yuji其他文献
相変態を利用したマグネシウム合金の諸特性向上と機能性付与
利用相变改善镁合金的性能并增加功能
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ogawa Yukiko;Sutou Yuji;Ando Daisuke;Koike Junichi;小川由希子 - 通讯作者：
小川由希子
琉球諸語の焦点構文の通言語的研究の可能性～ソマリ語との対照を中心として
琉球语焦点结构跨语言研究的可能性——重点关注与索马里语的对比
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takeuchi Yuta;Ando Daisuke;Ogawa Yukiko;Sutou Yuji;Koike Junichi;林由華;Yukiko Ogawa;林由華;林由華;林由華;林由華;林由華 - 通讯作者：
林由華
無方向性電磁鋼板のX線応力評価と磁気特性評価
无取向电工钢板的X射线应力评价及磁性能评价
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Akimoto Ryota;Handa Hiroaki;Shindo Satoshi;Sutou Yuji;Kuwahara Masashi;Naruse Makoto;Saiki Toshiharu;槌田雄二,榎園正人 - 通讯作者：
槌田雄二,榎園正人
PN Diode Properties of N-type Oxide/p-type N-doped Cr2Ge2Te6 and Its Application for Self-selective PCRAM
N型氧化物/p型N掺杂Cr2Ge2Te6的PN二极管特性及其在自选择PCRAM中的应用
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji - 通讯作者：
Sutou Yuji
Shape memory properties of Mg-Sc alloy
Mg-Sc合金的形状记忆性能
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ogawa Yukiko;Ando Daisuke;Sutou Yuji;Koike Junichi - 通讯作者：
Koike Junichi
Sutou Yuji的其他文献
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{{ truncateString('Sutou Yuji', 18)}}的其他基金
Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition
利用半导体-金属过渡开发零TCR薄膜
- 批准号：
21K18805 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Development of self-lubricating tribology hard-coating showing a long tool life
自润滑摩擦学硬质涂层的开发显示出较长的刀具寿命
- 批准号：
18K18932 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
下一代PCRAM相变材料与电极接触电阻研究
- 批准号：
15H04113 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
価数駆動型の新奇抵抗変化現象を記録原理とした極低消費電力型不揮発性メモリの創成
利用新颖的价驱动电阻变化现象作为记录原理创建超低功耗非易失性存储器
- 批准号：
24K17759 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
不揮発性メモリ搭載型サーバにおける DBMS 集約に関する研究
配备非易失性存储器的服务器中DBMS聚合的研究
- 批准号：
23K28057 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
不揮発性メモリと学習機構を有するスパイキングニューラルネットワークシステムの構築
具有非易失性存储器和学习机制的脉冲神经网络系统的构建
- 批准号：
23K16958 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
非接触デバイスに向けた有機不揮発性メモリの開発
用于非接触式设备的有机非易失性存储器的开发
- 批准号：
22K04215 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代データサイエンスのための不揮発性メモリを用いたストレージシステムの研究
用于下一代数据科学的使用非易失性存储器的存储系统研究
- 批准号：
22K17897 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
不揮発性メモリの特徴を生かした高速なプログラム実行とファイル操作の制御法の研究
利用非易失性存储器特性的高速程序执行和文件操作控制方法研究
- 批准号：
21K11830 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ＭｎＴｅ薄膜の結晶間相変化メカニズムの解明およびその次世代不揮発性メモリへの応用
阐明MnTe薄膜晶间相变机制及其在下一代非易失性存储器中的应用
- 批准号：
19J21117 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Ｃｒ－Ｇｅ－Ｔｅ系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
阐明Cr-Ge-Te层状材料的快速相变机制及其在非易失性存储器中的应用
- 批准号：
17J02967 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ノードローカルな不揮発性メモリを考慮した大規模動的グラフ向けグラフストア基盤
考虑节点本地非易失性存储器的大规模动态图的图存储平台
- 批准号：
16J00317 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
不揮発性メモリを利用可能な言語処理系の実現
可利用非易失性存储器的语言处理系统的实现
- 批准号：
14J01818 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 11.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows