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Exploring new device frontiers using ultra-high quality oxide heterostructures

Exploring new device frontiers using ultra-high quality oxide heterostructures
使用超高质量氧化物异质结构探索新器件前沿
批准号：
22H04948
负责人：
大矢 忍
金额：
$125.13万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-04-27 至 2027-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22H04948/
关键词：
分子線エピタキシーエピタキシャルスピントロニクス機能性デバイスヘテロ構造

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超高品質フルエピタキシャルスピン構造による極微細バリスティックスピントランジスタ
  • 批准号：
    21K18167
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 资助金额：
    $16.56万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    大矢 忍
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
セル選択機能を有する超高速半導体不揮発性メモリの実現
  • 批准号：
    18760230
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    大矢 忍
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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  • 批准号：
    04J10778
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    大矢 忍
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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