Demonstration of spintronic terahertz emission from Rashba- and exchange-split graphene and elucidation of its mechanism
Demonstration of spintronic terahertz emission from Rashba- and exchange-split graphene and elucidation of its mechanism
Rashba 和交换分裂石墨烯的自旋电子太赫兹发射演示及其机制的阐明
批准号：
22K04924
负责人：
エスカニョ MC
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-04-01 至 2025-03-31
中文摘要
翻译
本研究では貴金属ないスピントロニクステラヘルツエミッターを開発することを目的としている。2022年度としては、Ni上のグラフェン（G/Ni）のスピン輸送を理論手法によって調べ、実験的にG/Niの試料を作製することを目指した。 理論的には、密度汎関数理論とスピン軌道結合 (DFT+SOC) という定式化されたモデルを用いて、ラシュバ係数とその結果のスピン-電荷変換係数の計算に成功した。 実験的に、G/Ni 試料は、電子ビーム蒸着を用いてSiC 基板上に作成することができた。
英文摘要
本研究では貴金属ないスピントロニクステラヘルツエミッターを開発することを目的としている。2022年度としては、Ni上のグラフェン（G/Ni）のスピン輸送を理論手法によって調べ、実験的にG/Niの試料を作製することを目指した。 理論的には、密度汎関数理論とスピン軌道結合 (DFT+SOC) という定式化されたモデルを用いて、ラシュバ係数とその結果のスピン-電荷変換係数の計算に成功した。 実験的に、G/Ni 試料は、電子ビーム蒸着を用いてSiC 基板上に作成することができた。
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Direct Identification of Bulk Defects in Low-temperature GaAs Using First-principles STM Simulation for Efficient Terahertz Device Development
使用第一原理 STM 模拟直接识别低温 GaAs 中的体缺陷，以实现高效的太赫兹器件开发
使用第一原理 STM 模拟直接识别低温 GaAs 中的体缺陷，以实现高效的太赫兹器件开发
DOI：
10.1380/vss.66.4
发表时间：
2023
期刊：
Vacuum and Surface Science
影响因子：
--
作者：
[Escano Mary Clare, Nguyen Tien Quang, Izumi Akihiro, Tani Masahiko]
通讯作者：
Tani Masahiko
DOI：
10.1109/irmmw-thz50927.2022.9895634
发表时间：
2022-08
期刊：
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
影响因子：
--
作者：
[M. C. Escaño;T. Nguyen;V. Mag-usara;M. Talara;M. Tani]
通讯作者：
M. C. Escaño;T. Nguyen;V. Mag-usara;M. Talara;M. Tani
DOI：
10.1021/acs.jpcc.2c08529
发表时间：
2023-03
期刊：
The Journal of Physical Chemistry C
影响因子：
--
作者：
[Maria Vanessa Balois-Oguchi;N. Hayazawa;Satoshi Yasuda;K. Ikeda;Tien Quang Nguyen;M. C. Escaño;Takuo Tanaka]
通讯作者：
Maria Vanessa Balois-Oguchi;N. Hayazawa;Satoshi Yasuda;K. Ikeda;Tien Quang Nguyen;M. C. Escaño;Takuo Tanaka
Terahertz Wave Generation Performances of Spintronic Sources with Rectangular and Diabolo Antenna Structures
矩形和空竹天线结构自旋电子源的太赫兹波产生性能
矩形和空竹天线结构自旋电子源的太赫兹波产生性能
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Talara, D. S. Bulgarevich, K. Kobayashi, H. Kitahara, T. Furuya, M. C. Escano, M. Watanabe and M. Tani]
通讯作者：
M. Watanabe and M. Tani
Origin of spin-dependent interface resistance in spintronic Fe/Pt THz emitter by first-principles calculations
通过第一性原理计算自旋电子 Fe/Pt 太赫兹发射器中自旋相关界面电阻的起源
通过第一性原理计算自旋电子 Fe/Pt 太赫兹发射器中自旋相关界面电阻的起源
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mary Clare Sison Escano, Tien Quang Nguyen, Valynn Katrine Mag-usara, Miezel Talara and Masahiko Tani]
通讯作者：
Miezel Talara and Masahiko Tani
共 16 条
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