Reaktive Ionenätzanlage mit induktiv gekoppelter Plasmaquelle (ICP-RIE etcher)

带电感耦合等离子体源的反应离子蚀刻系统（ICP-RIE 蚀刻机）

• 批准号: 59348980
• 金额: --
• 依托单位: Universität Kassel
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/59348980?language=en
• 关键词: Reaktive; Ionen; tzanlage; mit; induktiv

Die neue Ätzanlage soll eingesetzt werden zur Herstellung von III-V Nano Strukturen mit hohem Aspektverhältnissen. Die beantragte Anlage ist speziell ausgelegt für Chlorchemie, wie sie benötigt wird zur Prozessierung von III-V Materialien, wie z.B. GaAs oder InP-basierende Hetero-Strukturen.Die Anlage ist von zentraler Bedeutung zur Herstellung von optoelektronischen und nanophotonischenBauelementen, die große Ätztiefen mit hohen Aspektverhältnissen benötigen, wie z.B. optische MEMS-Strukturen auf der Basis von III-V Materialien, Stegwellenleiterstrukturen, vertikal emittierendeMikroresonatoren, Photonische Kristallstrukturen, Photonische Drähte, Mikrolaser mit lateralen Bragg-Spiegeln etc.. Hierbei ist sowohl die im Vergleich zu RIE-Anlagen wesentlich höheren Ätzraten als auch die erheblich verbesserte Kontrolle der Ätzflankensteilheit und der Masken/Halbleiterselektivität von Bedeutung.Die Anlage ist für beide Fachgebiete (Technische Physik und Technische Elektronik) des Instituts fürNanostrukturtechnologie und Analytik von zentraler Bedeutung für eine fortgeschrittene und international konkurrenzfähige Strukturierungstechnologie, die im Rahmen von bereits laufenden als auch insbesondere in neu beantragten nationalen und internationalen Forschungsprojekten maßgeblich eingesetzt werden soll.

新的纳米结构需要韦尔登来支撑III-V纳米结构。该装置适用于氯化学，其优点是可用于III-V材料，如z.B.。GaAs或InP基异质结构，其起源是光电子和纳米光子器件的中间层，具有良好的吸收性能，如z.B.基于III-V族材料的光学MEMS结构，Stegwellenleiterstrukturen，垂直发射Mikroresonatoren，Photonische Kristallstrukturen，Photonische Drähte，Mikrolaser mit lateralen Bragg-Spiegeln等。在RIE-Anlagen的Vergleich中，它也可以被用来对侧边墙和屏蔽/半透明的控制进行评估。（Technische Physik und Technische Elektronik）des Instituts fürNanostrukturtechnologie und Analytik von zentraler Bedeutung für eine fortgeschrittene und international konkurrenzfähige Strukturierungtechnologie，在新的国家和国际研究项目中也有许多韦尔登问题。