Reaktive Ionenätzanlage mit induktiv gekoppelter Plasmaquelle (ICP-RIE etcher)

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Die neue Ätzanlage soll eingesetzt werden zur Herstellung von III-V Nano Strukturen mit hohem Aspektverhältnissen. Die beantragte Anlage ist speziell ausgelegt für Chlorchemie, wie sie benötigt wird zur Prozessierung von III-V Materialien, wie z.B. GaAs oder InP-basierende Hetero-Strukturen.Die Anlage ist von zentraler Bedeutung zur Herstellung von optoelektronischen und nanophotonischenBauelementen, die große Ätztiefen mit hohen Aspektverhältnissen benötigen, wie z.B. optische MEMS-Strukturen auf der Basis von III-V Materialien, Stegwellenleiterstrukturen, vertikal emittierendeMikroresonatoren, Photonische Kristallstrukturen, Photonische Drähte, Mikrolaser mit lateralen Bragg-Spiegeln etc.. Hierbei ist sowohl die im Vergleich zu RIE-Anlagen wesentlich höheren Ätzraten als auch die erheblich verbesserte Kontrolle der Ätzflankensteilheit und der Masken/Halbleiterselektivität von Bedeutung.Die Anlage ist für beide Fachgebiete (Technische Physik und Technische Elektronik) des Instituts fürNanostrukturtechnologie und Analytik von zentraler Bedeutung für eine fortgeschrittene und international konkurrenzfähige Strukturierungstechnologie, die im Rahmen von bereits laufenden als auch insbesondere in neu beantragten nationalen und internationalen Forschungsprojekten maßgeblich eingesetzt werden soll.