トライボプラズマを援用したダイヤモンド基板の高能率ドライエッチング法の開発
トライボプラズマを援用したダイヤモンド基板の高能率ドライエッチング法の開発
利用摩擦等离子体开发金刚石基底的高效干法蚀刻方法
批准号：
23K03621
负责人：
久保田 章亀
金额：
$3.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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触媒作用を援用した化学研磨プロセスによるSiC基板表面平坦化に関する研究
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批准号：18760102
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：2006
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负责人：久保田 章亀
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依托单位：
EEMによる次世代半導体・光学デバイス表面創製技術の開発
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批准号：04J52761
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.64万
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财政年份：2004
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负责人：久保田 章亀
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依托单位：
海外基金