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次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発

次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発
二维材料生长机理理论及下一代半导体集成技术开发
批准号:
24H00407
负责人:
吾郷 浩樹
金额:
$30.62万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2028-03-31
关键词:

项目摘要

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Novel magnetic tunneling junction devices with layer number-controlled hexagonal boron nitride sheets
  • 批准号:
    23K17863
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额:
    $4.16万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
次元性を超えたナノカーボン材料の制御合成と応用研究
  • 批准号:
    18F18055
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.54万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
半導体デバイス応用を目指したグラフェンナノリボンの創製
  • 批准号:
    13F03352
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位:
シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製
  • 批准号:
    21310074
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $12.06万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    吾郷 浩樹
  • 依托单位: