シミュレーションによるボルテックス-フォノン協働型スイッチング・デバイスの開発
シミュレーションによるボルテックス-フォノン協働型スイッチング・デバイスの開発
批准号:
23K03979
负责人:
井上 真澄
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2026-03-31
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氷点下領域で機能するセメント系耐寒無収縮モルタルの開発
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批准号:24K07617
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2024
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
亜硝酸リチウムにより耐寒性を付与した高機能グラウトの開発
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批准号:21K04208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2021
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
単一磁束量子-光信号変換デバイスに関する研究
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批准号:17656117
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
Bi系酸化物高温超伝導体薄膜の電気的特性への微細構造の影響に関する研究
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批准号:12016205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2000
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
Bi系酸化物高温超伝導体薄膜を用いた固有接合デバイスに関する研究
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批准号:11129207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
Bi系酸化物超伝導体高品質薄膜のキャリア密度制御に関する研究
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批准号:08750359
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
内向き整流Kチャネルの機能維持におけるATPの役割、及び関与するATP産生機構
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批准号:08680898
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1996
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
Bi系酸化物超伝導体の高品質薄膜における二次元的挙動に関する研究
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批准号:07750351
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
Bi系酸化物超伝導体高品質薄膜を用いた超伝導三端子素子の電界効果に関する研究
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批准号:05750288
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
高品質薄膜作製技術に基づくBi系酸化物超伝導体超格子の超伝導特性に関する研究
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批准号:04750249
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1992
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
単離心房筋細胞の細胞外圧上昇,及び浸透圧上昇に対する反応の電気生理学的研究
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批准号:03857021
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:井上 真澄
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依托单位:
酸化物超伝導薄膜作成のための小型CVD装置の開発
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批准号:02750033
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1990
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负责人:井上 真澄
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依托单位: