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イオン打込みしたリン化インジウム単結晶のアニーリングに関する研究

イオン打込みしたリン化インジウム単結晶のアニーリングに関する研究
离子注入磷化铟单晶的退火研究
批准号：
56750203
负责人：
朴 康司
金额：
$0.51万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1981
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1981 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-56750203/
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化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究
  • 批准号：
    05211214
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    朴 康司
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシーの初期原子層制御と転位低減化に関する研究
  • 批准号：
    04227220
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    朴 康司
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
化合物半導体ーSi系ヘテロエピタキシ-の初期原子層制御と転位低減化に関する研究
  • 批准号：
    03243222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    朴 康司
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
InPーGaAsヘテロ系エピタキシャル成長の初期過程制御と高品質化に関する研究
  • 批准号：
    02650221
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    朴 康司
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology