負イオン注入基材表面を用いた神経細胞誘導と神経回路網形成に関する研究
負イオン注入基材表面を用いた神経細胞誘導と神経回路網形成に関する研究
批准号:
09878190
负责人:
辻 博司
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 1998
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1. 微細パターン負イオン注入処理による血管内皮細胞の接着位置制御と配向性の付与細胞の長さと同程度の幅を有する微細パターンで銀負イオンを無処理ポリスチレン(NTPS)と組織培養用ポリスチレン(TCPS)に注入した結果、NTPSでは銀負イオン注入による表面の親水化により、細胞の接着が観測された。また、TCPSでは、注入による疎水化のために未注入領域にのみ細胞接着が生じた。そして、狭い領域に接着した細胞には配向性が認められた。2. 微細パターン負イオン注入による神経細胞の接着位置制御と神経突起の伸展領域制御微細パターンに銀負イオン注入したNTPSを用いて神経細胞PC12hを培養した結果、注入領域にのみ神経細胞が接着したことから、負イオン注入によって神経細胞の接着位置を制御できることが判明した。更に、NGF添加による分化では、負イオン注入領域にのみ神経突起の分化伸展があり、負イオン注入によって神経突起の分化・伸展領域の制御も可能であることが判明した。他方、注入後にコラーゲンをコートしたNTPSによる細胞培養では、培養当初は全体に細胞接着が認められたが、培養液を交換するに従って、未注入量域の接着細胞は脱落し、負イオン注入にのみ細胞が接着することが観測された。しかし、神経突起の分化は全領域に跨って観測された。3. 注入負イオン種の違いによる神経細胞適合性の評価銀負イオンに加えて、銅や炭素など3種類の負イオン注入による神経細胞PC12hの細胞培養と神経突起伸展の観測を行った結果、いずれの負イオン種でも神経細胞の接着位置制御と神経突起伸展領域の制御ができた。以上の結果から、以上、特定パターンに負イオンを注入することによって人為的な神経回路網が形成できることが判った。
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Hiroshi Tsuji: "Surface Modification by Silver-Negative-Ion Implantation for Controlling Cell-Adhesion Properties of Polystyrene" Surface and Coatings Technology. 103/104. 124-128 (1998)
Hiroshi Tsuji:“通过银负离子注入进行表面改性以控制聚苯乙烯的细胞粘附性能”表面和涂层技术。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Hiroshi Tsuji: "Contact Angle Lowering of Polystyrene Surface by Silver-Negative-Ion Implantation for Improving Biocompatibility and Introduced Atomic Bond Evaluation by XPS" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. B141. 197-201 (1998)
Hiroshi Tsuji:“通过银负离子注入降低聚苯乙烯表面的接触角以改善生物相容性并通过 XPS 引入原子键评估”物理研究中的核仪器和方法 B. B141。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hiroshi Tsuji: "Contact Angle Lowering of Polystyrene Surface by Silver-Negtive-Ion Implantation for Improving Biocompatibility and Introduced Atomic Bond Evaluation by XPS" to be published in Nuclear Instruments and Methods. 6 (1998)
Hiroshi Tsuji:“通过银负离子注入降低聚苯乙烯表面的接触角,以提高生物相容性并通过 XPS 引入原子键评估”,即将发表在《核仪器和方法》上。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hiroshi Tsuji: "Slightly Negative Surface Potential and Charging Model of Insulator in the Negative-Ion Implantation" Nuclear Instruments and Methods. B127-128. 278-281 (1997)
Hiroshi Tsuji:“负离子注入中绝缘体的微负表面电位和充电模型”核仪器和方法。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
辻 博司: "スパッタリングによる負イオン生成とRFプラズマスパッタ型負重イオン源" アイオニクス. 第23巻. 41-54 (1997)
Hiroshi Tsuji:“通过溅射和射频等离子体溅射型负重离子源产生负离子”,Ionics,第 23 卷,41-54。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 12 条
負イオン注入形成ゲルセニウムナノ粒子による紫外光発光と光源内蔵型複合光触媒の研究
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批准号:18656025
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2006
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负责人:辻 博司
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依托单位:
微粒子表面への量子点列の形成と非線形光学特性に関する研究
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批准号:11875013
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1999
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负责人:辻 博司
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依托单位:
絶縁物への負イオン注入における無帯電表面電位発現機構の解明
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批准号:08650031
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:辻 博司
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依托单位:
負重イオンビームの気体粒子との衝突による電子離脱断面積の測定
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批准号:63750019
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1988
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负责人:辻 博司
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依托单位: