半導体表面における金属吸着構造および界面構造の研究
半導体表面における金属吸着構造および界面構造の研究
半导体表面金属吸附结构和界面结构研究
批准号：
97F00017
负责人：
一宮 彪彦
金额：
$0.38万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 --
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会议论文
シリコン表面上の窒化ガリウムの成長初期構造の研究
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批准号：99F00239
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.58万
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财政年份：2000
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：
多価イオンと固体表面との相互作用
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批准号：06229203
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$0.96万
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财政年份：1994
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：
多価イオンと固体表面との相互作用
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批准号：05238205
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.02万
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财政年份：1993
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：
シリコン表面の原子的構造
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批准号：04227216
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.09万
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财政年份：1992
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：
シリコン成長表面の原子的構造
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批准号：03243219
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.79万
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财政年份：1991
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：
電子線表面チャネリングを用いた結晶表面の研究
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批准号：56550012
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.9万
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财政年份：1981
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：
電子線による位相を含む結晶構造因子の絶対測定
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批准号：X00090----054121
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1975
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负责人：一宮 彪彦
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依托单位：