多価イオンと固体表面との相互作用

多电荷离子与固体表面之间的相互作用

基本信息

  • 批准号:
    06229203
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.96万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1994
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1994 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

多価イオンは空の束縛準位と大きい静電ポテンシャルを持っており、固体表面との相互作用により多くの特異な効果が期待できる。本研究では多価イオンと固体との相互作用による多価イオンの電荷移行過程を調べた。特にモリブデン及びタンタル表面への酸素多価イオン入射によるX線放出スペクトル及び放出収率の測定を行った。その結果Moターゲットに入射した酸素多価イオンによるX線放出スペクトルには200eV及び520eV付近に主要なスペクトルがみられ、Taターゲットに対しては170eV及び520eV付近に主要なピークがみられた。このうち520eVピークはO-KL(525eV)と同定した。このO-KL過程によるX線放出収率は、ターゲットの種類にほとんどよらない結果を得た。また酸素イオンの2価から7価に対するO-KLX線放出の価数依存性では、2価から5価まではO-KL放出収率はほとんど価数によらず一定であり6価および7価において大きく増大している。特に7価では5価の10^3程度の増大がみられた。この放出収率の増大は7価イオンがK殻に空準位を持つためと考えられる。また6価における約50倍程度の収率の増大は主にK殻に空準位を持つ準安定イオンが含まれているためと考えられる。7価イオンに対するO-KL放出収率の異常な増大は金属ターゲットからOのL殻への電荷移行が主に起きており、それによってL殻からK殻への遷移が主として見られるためと考えられる。Moターゲットからの200eV付近のピークはMo-M_<4,5>N_<2,3>-M_<4,5>N_<4,5>,-M_1M_5などの遷移によるものと同定した。このうちM_<4,5>準位への遷移による放出収率の価数依存性は5価から7価に於て10倍程度の増大しか見られなかったのに対し、M_1への遷移に対応する放出収率は5価に対して7価では約10^3の増大があり、この価数依存性はほとんどO-KLの価数依存性と相似である。このことはMoのM^1準位から酸素のK準位への電荷移行によりM^1準位が生成されたためか、あるいはO-KL過程に伴うM^1準位からのオージェ電子放出によるM^1の空準位生成によるものと考えられる。以上のように本実験から多価イオンと固体表面との相互作用による多価イオンへの電荷移行過程に関する新しい知見が得られた。
Multi-dimensional binding level, electrostatic interaction, multi-dimensional interaction, multi-dimensional interaction In this paper, we study the regulation of charge transfer process in the interaction between polychrome and solid state. The measurement of X-ray emission and emission rate is carried out under the condition of incidence. As a result, the incident X-ray emission is mainly at 200eV and 520eV, and the incident X-ray emission is mainly at 170eV and 520 eV. O-KL(525eV) is the same as O-KL(525eV). The O-KL process results in X-ray emission rate, type and result. The number dependence of O-KLX line emission on the number of 2 and 7 of the acid elements increases with the increase of O-KL emission rate. In particular, the increase in the level of 7 5 and 10^3 was due to the increase in the number of. The emission rate increases, and the K shell empty level increases. The increase in the rate of light emission by about 50 times is mainly due to the fact that the empty level of the K shell is maintained at a stable level. 7. The abnormal increase in the emission rate of O-KL from the metal shell is mainly due to the charge migration of O and K shell. Mo-M_<4,5> N_<2,3>-M_<4,5>N_<4,5>,-M_1M_5 and Mo-M_<4,5>N_<4,5>-M_<4,5> N_<4,5> N_<4 The number dependence of the emission rate of M_1 on the migration of M_4 and M_5 levels increases from 5 to 7 times, and the number dependence of M_1 on the migration of M_1 increases from 5 to 7 times, and the number dependence of M_1 on O-KL increases from 5 to 7 times. The charge transfer of the M^1 level and the K level of the acid element is accompanied by the generation of the M^1 level and the electron emission of the M^1 level. The above results show that the interaction between solid surfaces and the charge transfer process is a new phenomenon.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

一宮 彪彦其他文献

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)の 方位角プロットによる表面構造解析の試みII
尝试通过全反射高速正电子衍射(TRHEPD)方位角图分析表面结构 II
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    望月 出海;深谷 有喜;一宮 彪彦;兵頭 俊夫
  • 通讯作者:
    兵頭 俊夫
全反射高速陽電子回折(TRHEPD) パターンの方位角プロット解析
全内反射高速正电子衍射 (TRHEPD) 图案的方位角图分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    望月 出海;深谷 有喜;一宮 彪彦;兵頭 俊夫
  • 通讯作者:
    兵頭 俊夫
全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による方位角プロットを用いた構造決定II
通过全反射高速正电子衍射 (TRHEPD) 方法 II 使用方位角图确定结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    望月 出海;深谷 有喜;一宮 彪彦;兵頭 俊夫
  • 通讯作者:
    兵頭 俊夫
全反射高速陽電子回折(TRHEPD)による方位角プロット構造解析III
全反射高速正电子衍射 (TRHEPD) 方位图结构分析 III
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    望月 出海;深谷 有喜;一宮 彪彦;兵頭 俊夫
  • 通讯作者:
    兵頭 俊夫
全反射高速陽電子回折(TRHEPD)による方位角プロット解析
使用全反射高速正电子衍射 (TRHEPD) 进行方位角图分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    望月 出海;深谷 有喜;一宮 彪彦;兵頭 俊夫
  • 通讯作者:
    兵頭 俊夫

一宮 彪彦的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('一宮 彪彦', 18)}}的其他基金

シリコン表面上の窒化ガリウムの成長初期構造の研究
硅表面氮化镓初始生长结构的研究
  • 批准号:
    99F00239
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体表面における金属吸着構造および界面構造の研究
半导体表面金属吸附结构和界面结构研究
  • 批准号:
    97F00017
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多価イオンと固体表面との相互作用
多电荷离子与固体表面之间的相互作用
  • 批准号:
    05238205
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
シリコン表面の原子的構造
硅表面的原子结构
  • 批准号:
    04227216
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
シリコン成長表面の原子的構造
硅生长表面的原子结构
  • 批准号:
    03243219
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
電子線表面チャネリングを用いた結晶表面の研究
利用电子束表面沟道研究晶体表面
  • 批准号:
    56550012
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
電子線による位相を含む結晶構造因子の絶対測定
使用电子束绝对测量晶体结构因素(包括相位)
  • 批准号:
    X00090----054121
  • 财政年份:
    1975
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

相似海外基金

共鳴ミュオン重水素分子のX線放出経路の解明と新奇なオージェ崩壊様式の探究
阐明共振μ子氘分子的X射线发射路径并探索新型俄歇衰变模式
  • 批准号:
    24K06911
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ラザフォード散乱同時計測法による荷電粒子励起X線放出分析の高感度化
使用同时卢瑟福散射测量方法提高带电粒子激发 X 射线发射分析的灵敏度
  • 批准号:
    13875018
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
動力学的電子回折条件における酸化物セラミックスからのX線放出と構造解析への応用
动态电子衍射条件下氧化物陶瓷的X射线发射及其在结构分析中的应用
  • 批准号:
    98J07492
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
非平衡ピンチプラズマの生成と軟X線放出に関する研究
非平衡箍缩等离子体产生及软X射线发射研究
  • 批准号:
    03680007
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
α崩壊に伴う非等方的X線放出
与 α 衰变相关的各向异性 X 射线发射
  • 批准号:
    63540288
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了