Kontrollierte Festkörperreaktionen im Nanometerbereich unter besonderer Berücksichtigung des Kirkendall-Effekts
Kontrollierte Festkörperreaktionen im Nanometerbereich unter besonderer Berücksichtigung des Kirkendall-Effekts
批准号:
73110866
负责人:
Professor Dr. Dietrich Hesse
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2008
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2007-12-31 至 2010-12-31
中文摘要
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英文摘要
Smigelskas und Kirkendall berichteten schon 1947 über den Einfluss einer unterschiedlichen Diffusionsgeschwindigkeit von Kupfer- und Zinkatomen in Messing und die dadurch verursachte Verschiebung von Markierungen an der Grenzfläche („Kirkendall-Effekt ). Auch die Bildung von Poren (Hohlräumen) auf der Seite des schneller diffundierenden Elements wurde bald als Konsequenz der unterschiedlichen Diffusionsgeschwindigkeit erkannt. Im Zusammenhang mit Nanostrukturen bekommt dieser bisher negativ gesehene Effekt eine neue Bedeutung. Da bei Nanostrukturen eine starke räumliche Einschränkung vorliegt, kann es in Folge eines Diffusionsvorganges zu einer Akkumulierung von Hohlräumen im Inneren einer Nanostruktur kommen, wenn unterschiedliche Atome mit unterschiedlicher Geschwindigkeit diffundieren. Festkörperreaktionen in einem räumlich stark eingeschränkten Bereich sind von hohem wissenschaftlichem und technologischem Interesse z.B. für die Synthese oder die Produktion von neuen Materialien. Die Fähigkeit, kontrolliert die Struktur und Morphologie von Materialien im Nanometerbereich zu manipulieren, soll eine größere Kontrolle der lokalen chemischen Umgebung ermöglichen.Zielstellung des hier vorgeschlagenen Projektes ist die detaillierte Untersuchung des Kirkendall-Effektes für die Erzeugung von komplexen Nanostrukturen. Dazu sollen physikalische Grundlagenuntersuchungen zum Kirkendall-Effekt unter dem Einfluss einschränkender Geometrien durchgeführt werden. Ultra-dünne Schichten werden dazu mittels Atomic Layer Deposition kontrolliert gewachsen und anschließend einem Diffusions- Reaktions-Prozess unterworfen. Schwerpunkt wird die Reaktion von ZnO und MgO mit weiteren Metalloxiden sein. In einem zweiten Schritt soll der Einfluss von strukturierten Geometrien im Nano- und Mikrobereich untersucht werden. Im dritten Teil des Projektes sollen die Erkenntnisse genutzt werden, um komplexe Strukturen kontrolliert in Hohl Strukturen zu transformieren, deren magnetische Eigenschaften zu untersuchen bzw. ihre Integrations fähigkeit in Mikrosysteme auszuloten.
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会议论文
Structural and magnetic phenomena in ultrathin C/Co/C stacks prepared by DC magnetron sputtering
直流磁控溅射制备超薄 C/Co/C 叠层的结构和磁现象
DOI:
10.1002/pssa.201026729
发表时间:
2011
期刊:
physica status solidi (a)
影响因子:
--
作者:
[A. Zolotaryov, Y. Bugaev, V. Samofalov, O. Devizenko, E. Zubarev, S. Martens, O. Albrecht, D. Görlitz, K. Nielsch]
通讯作者:
K. Nielsch
The influence of internal interfaces on the switching dynamics of ferroelectric oxide films
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批准号:5281178
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2000
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负责人:Professor Dr. Dietrich Hesse
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依托单位: