The influence of internal interfaces on the switching dynamics of ferroelectric oxide films

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Ziel des Projekts ist (1) die Herstellung von nach Struktur und chemischer Konstitution wohldefinierten inneren Grenzflächen in ferroelektrischen Schichten komplexer Oxide, (2) die Untersuchung der Dynamik des ferroelektrischen Umschaltprozesses in diesen Schichten und (3) die Aufklärung von Korrelationen zwischen diesen, um Aussagen zum Mechanismus der Wechselwirkung zwischen Domänenwänden und innerer Grenzfläche zu gewinnen. Homogen zusammengesetzte, epitaxiale ferroelektrische Schichten der Materialien BaTiO3 (BT), Bi4Ti3O12 (BiT), SrBi2Ta2O9 (SBT) und BaBi4Ti4O15 (BBiT) sowie die nötigen Dünnschichtelektroden werden durch Laserdeposition erzeugt. Durch Anwendung der Technik des Waferbondens werden in diesen Schichten wahlweise innere Grenzflächen von ausschließlich kristallographischer Natur als auch solche, die zugleich eine kristallographische und eine chemische Inhomogenität darstellen, erzeugt.Auf der Grundlage bekannter und/oder zu modifizierender Modelle des Umpolarisationsprozesses sollen schließlich verallgemeinerungsfähige Aussagen zum Einfluß von Grenzflächen unterschiedlichen Charakters auf die Umpolarisationsdynamik gewonnen werden.