The influence of internal interfaces on the switching dynamics of ferroelectric oxide films

内部界面对铁电氧化物薄膜开关动力学的影响

• 批准号: 5281178
• 负责人: Professor Dr. Dietrich Hesse
• 金额: --
• 依托单位: Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5281178?language=en
• 关键词: influence; internal; interfaces; switching; dynamics

Ziel des Projekts ist (1) die Herstellung von nach Struktur und chemischer Konstitution wohldefinierten inneren Grenzflächen in ferroelektrischen Schichten komplexer Oxide, (2) die Untersuchung der Dynamik des ferroelektrischen Umschaltprozesses in diesen Schichten und (3) die Aufklärung von Korrelationen zwischen diesen, um Aussagen zum Mechanismus der Wechselwirkung zwischen Domänenwänden und innerer Grenzfläche zu gewinnen. Homogen zusammengesetzte, epitaxiale ferroelektrische Schichten der Materialien BaTiO3 (BT), Bi4Ti3O12 (BiT), SrBi2Ta2O9 (SBT) und BaBi4Ti4O15 (BBiT) sowie die nötigen Dünnschichtelektroden werden durch Laserdeposition erzeugt. Durch Anwendung der Technik des Waferbondens werden in diesen Schichten wahlweise innere Grenzflächen von ausschließlich kristallographischer Natur als auch solche, die zugleich eine kristallographische und eine chemische Inhomogenität darstellen, erzeugt.Auf der Grundlage bekannter und/oder zu modifizierender Modelle des Umpolarisationsprozesses sollen schließlich verallgemeinerungsfähige Aussagen zum Einfluß von Grenzflächen unterschiedlichen Charakters auf die Umpolarisationsdynamik gewonnen werden.

本文的研究内容包括：（1）铁电复合氧化物内部结构和化学结构的确定;（2）铁电复合氧化物内部结构和化学结构的确定;（3）铁电复合氧化物内部结构和化学结构的确定;（4）铁电复合氧化物内部结构和化学结构的确定; BaTiO_3（BT）、Bi_4 Ti_3 O_（12）（BiT）、SrBi_2 Ta_2 O_9（SBT）和BaBi_4 Ti_4 O_（15）等材料的均质外延铁电薄膜可通过激光沉积法制备。晶片键合技术的研究也是在自然界中的一个重要方面，即在基本极化过程的基础上，或在极化过程的修正模型中，对自然界中的非均匀特性的影响进行分析，从而确定非均匀特性对非均匀特性的影响。