均一ドープ超短チャネル電界効果トランジスタの研究

均匀掺杂超短沟道场效应晶体管的研究

• 批准号: 08750394
• 负责人: 藤島 実
• 金额: $ 0.77万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750394/
• 关键词: 極短チャネルMOSFET; ダブルショットキー構造; Tiシリサイド

ショートチャネル効果と寄生抵抗の増大という2つの問題を解決するため、新提案のダブルショットキーMOSFETを試作した。ソース、ドレインはSi基板にTiをスパッタし550℃でアニールしてTiシリサイドを形成した。このショットキーダイオードの特性を測定した結果、良好なTiSi_2膜が形成されていることが確認できた。また、ドライ酸化によりTiSi_2上にSiO_2膜が形成されることも確認できた。作製したFETはまだOFF時のリ-ク電流が大きくゲート電圧による変調も小さいが、以上の結果からダブルショットキーMOSFETの基本的な作製プロセスは確立できたと言える。

To solve the problems of increased parasitic resistance and increased parasitic resistance, a new proposal for the Duble-Switch MOSFET was launched. Si substrate is formed at 550℃. The results of measurement of TiSi_2 film characteristics show that TiSi_2 film is formed well. SiO_2 film formed on TiSi_2 substrate was confirmed to have been successfully oxidized. When the FET is turned OFF, the current is high and the voltage is low. As a result, the basic operation of the MOSFET is low and the voltage is low.

项目成果

藤島実 他: "Semiconductor Single-Electron Transistor as a Successor of Scaling MOSFETs" IEICE TRANSACTIONS on Electronics. E80-C,7(発表予定). (1997)

Minoru Fujishima 等人：“半导体单电子晶体管作为缩放 MOSFET 的后继者”IEICE TRANSACTIONS on Electronics E80-C,7（待公布）。

福井大伸 他: "Single-Electron Transistor in SOI Structure with Schottky-Contact Tunnel Barriers" The 190th Meeting Abstructs,The Electrochemical Society,Inc. 96-2. 578-578 (1996)

Dainobu Fukui 等人：“具有肖特基接触隧道势垒的 SOI 结构中的单电子晶体管”第 190 次会议摘要，电化学协会，Inc. 578-578 (1996)。

藤島実 他: "MOSFETの微細化限界についての一考察" 第44回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 97春(発表予定). (1997)

Minoru Fujishima 等人：“MOSFET 小型化极限的研究”，1997 年春季第 44 届应用物理学联合会议论文集（待提交）。

福井大伸 他: "Single-Electron Transistor with Schottky Source/Drain" 1996 Int.Symp.on Formation,Physics and Device Application of Quantum Dot Structures : Final Program & Collected Abstracts. 146-146 (1996)

Dainobu Fukui 等人：“具有肖特基源极/漏极的单电子晶体管”1996 Int.Symp.on 量子点结构的形成、物理和器件应用：最终程序和摘要146-146 (1996)。

天川修平 他: "Characterization of Capacitively-Coupled Dual Tunnel Junction Array" 1996 Int.Symp.on Fromation,Physics and Device Application of Quantum Dot Structures : Final Program & Collected Abstracts. 154-154 (1996)

Shuhei Amakawa 等人：“电容耦合双隧道结阵列的特性”1996 Int.Symp.on 量子点结构的形成、物理和器件应用：最终程序和摘要 154-154 (1996)。