权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Realization of Bulk GaN Crystal by Local Cooling Technique in the Na flux Method

Na助熔剂法中局部冷却技术实现块状GaN晶体

基本信息

批准号：
22KJ2051
负责人：
TANDRYO RICKSEN
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-03-08 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22KJ2051/
关键词：
In-situ 電気抵抗電気伝導度結晶成長窒化ガリウム溶液成長金属

项目摘要

Ga-Na溶液の電気抵抗測定を用いて単体金属から出発したGa及びNaを高温に溶かし混合になるまでの様子を観測した。Ga-Na電気抵抗の初期値が低く、GaとNaの混合に伴い電気抵抗が増加することが観測された。徐々に増加する値が一定になるまでの時間を混合時間として評価した。混合時間の温度依存性について調査し、温度が高いほど混合時間がが短いことが定量的に判明した。GaとNaの混合比率を変えたところ、Ga/Na比が低いほど混合時間が短いことが明らかになった。温度・混合組成の依存性の結果を踏まえて、測定時のGa-Na溶液の混合プロセスは拡散プロセスに支配されることを推定できた。Ga-Na溶液中にGaN種結晶上における結晶化プロセスを電気抵抗測定を用いてIn-situモニタリングを実施した。GaNの結晶化に伴い、Ga-Na溶液中の電気抵抗が減少した。加えて、電気抵抗の減少する速度が結晶成長速度の変化に応じて変化していることを観測した。結晶化に伴い、GaがGaNの生成に消費され、Ga/Na比が減少した結果、電気抵抗が減少したといえる（Ga-Na溶液の電気抵抗の組成依存性の測定結果と同様の傾向）。Ga-Na溶液の電気抵抗測定から間接的にGaN結晶成長プロセスを観察できることが分かった。

The resistance of Ga-Na solution to electricity was measured by using a high-temperature solution of Ga-Na and a high-temperature solution of solid metal. The initial value of Ga-Na electric resistance is low, and the resistance of Ga and Na is mixed and the electric resistance is increased. Xu 々に increase plus する値がになるまでの time を mixed time として comment 価した. The temperature dependence of the mixing time has been investigated, and the mixing time has been quantitatively determined since the temperature has been high and the mixing time has been short. The mixing ratio of Ga and Na is low, and the Ga/Na ratio is low and the mixing time is short. The result of the dependence of temperature and mixed composition is determined by the determination of the Ga-Na solution and the mixed composition of the Ga-Na solution at the time of measurement. The GaN seed crystal in Ga-Na solution was used to measure the resistance of the GaN seed crystallization to the electrolytic resistance of the Ga-Na solution. The crystallization of GaN is accompanied by the reduction of electrical resistance in the Ga-Na solution. Increase the resistance of electricity, reduce the speed of crystal growth, and change the speed of crystal growth. The results of crystallization, the production and consumption of GaN, the reduction of Ga/Na ratio, and the reduction of electric resistance (Ga-Na solution's composition dependence of electric resistance and the tendency of the same measurement). Ga-Na solution's electrical resistance measurement is based on the indirect measurement of GaN crystal growth.