半導体超格子中の転位運動と転位フィルタリングのメカニズム

半导体超晶格中的位错运动和位错过滤机制

• 批准号: 08750019
• 负责人: 山下 善文
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Okayama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750019/
• 关键词: 半導体超格子; ミスフィット転位; 転位フィルタリング; 転位運動; 電子顕微鏡

本補助金により購入した温度コントローラ,サイリスタと,トランス,自作のヒーターなどの部品を用いて,試料加熱・制御装置を製作し,現有の真空槽に組み込んだ。この装置により,室温から400℃〜600℃まで約60秒で昇温,この温度範囲で0.2℃の精度で温度制御,約30秒で設定温度から200℃以上降温できることが確認された。この場合,転位速度測定における昇降温時の転位の移動距離は最大でも全移動距離の10%程度と見積もられる。この移動距離の誤差は本補助金にて購入した温度履歴記録解析装置を用いて試料温度の変化を記録し解析することにより補正できる。次に,Si(100)基板上に,各10nmの厚さのSi_<0.8>Ge_<0.2>とSi_<0.6>Ge_<0.4>を交互に7周期成長させた超格子を作製した。この試料は成膜直後に既に多数のミスフィット転位が観察され,成膜中にかなり緩和していた。これは,基板の前処理が不十分であったため,成長初期から導入されていた転位であると考えられる。この試料をスクラッチを入れ新たな転位源を導入し,未緩和分の応力で転位速度測定を試みた。その結果,スクラッチより新たな転位の発生は見られたが,既に存在する転位によるエッチピット(ライン)との判別が難しく,速度の測定はできなかった。この試料の断面透過電子顕微鏡観察をおこなったところ,多数の転位が観察されたが,そのほとんどが全層を貫通する転位であった。従って,この超格子は,各層ではなく超格子全体として転位の掃き出し効果を持つと言える。また,未緩和の試料が作製されれば,超格子全体を貫く転位の運動速度の測定が可能であることが分かった。今後,未緩和の試料の作製が急務であるが,さらに各層厚が臨界膜厚以上の場合に転位形状がどうなるかを調べることが重要であることが分かった。

This grant is used in the temperature control system, the temperature control system, the temperature control device, the equipment and the control device. The temperature range of the temperature range is 0.2 ℃, and the temperature is set above 200 ℃ in about 30 seconds. When the position velocity is measured and the temperature is lowered, the maximum displacement distance is 10% higher than that of the temperature drop. This grant is imported into the equipment for analyzing temperature performance records. The equipment is used to analyze the temperature records of materials. The data is correct. Secondary, Si (100) substrate, each 10nm thickness Si _ & lt;0.8>Ge_<0.2> Si_<0.6>Ge_<0.4> interaction 7-cycle growth cycle, the growth of the super lattice is used. After the formation of the film, it is necessary to observe the position of the film, and to observe the position of the film. In the early stage of growth, the management of the substrate is not very important, and at the beginning of its growth, it is not very important to make a difference in the front of the substrate. The data is required to enter the new data source input, and the data is not available for the speed test. The result of the test shows that the new location has caused a lot of error, and that both the error location and the speed measurement have been determined. The cross-section of the material is monitored by the computer micrograph, and most of the equipment is inspected by the computer, and the whole system is passed through the computer. You know, all the people in the super grid, all the people in the super grid. It is possible to measure the speed of the whole system by measuring the speed of the machine. From now on, the material and the material will be used as an urgent information system, and the thickness of the film above the thickness of each layer will match the shape of the position, and the important information will be important.