青色発光II-VI族化合物半導体中の転位運動

蓝色发射 II-VI 族化合物半导体中的位错运动

• 批准号: 06750006
• 负责人: 山下 善文
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Okayama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750006/
• 关键词: 転位運動; セレン化亜鉛; カソードルミネッセンス

GaAs(100)基板上にZnSeを臨界膜厚程度の厚さにエピタキシャル成長した試料に,室温においてスクラッチを入れることにより転位を導入し,走査電子顕微鏡を利用したカソードルミネッセンス法(SEM-CL法)により転位を観察した.室温における観察でもわずかに転位が観察できたが,液体窒素フローにより100K程度に冷却することにより,転位の黒色コントラストに改善が見られた.さらに,液体ヘリウムを用いて20K程度まで冷却してみたが,それ以上のコントラストの改善は見られなかった.本研究では,青色発光II-VI族半導体であるZnSe中の転位の運動を調べることが目的であるため,観察されている転位がZnSeエピ膜中に存在していることを確認することが重要である.そこで,カソードルミネッセンス光を分光し,GaAs基板とZnSeエピ膜からの信号のそれぞれについて像を観察した.その結果,いずれからも転位像が観察された.このため,観察している転位がZnSe中に存在することを確認することができなかった.上記の問題点は保留して,次に,低温における転位の運動速度を測定するため,100K程度の低温において4点曲げ変形により試料に応力を加えた.しかしながら,非常に小さい応力で試料が破壊されてしまい,転位の運動を観測するには至らなかった.これは,基板のGaAs自身が本来破壊され易いことに加え,試料方位が曲げ応力によって劈開し易いことが原因であると考えられる.本研究では,ZnSe/GaAs(100)を用いたZnSe中の転位の運動速度測定において上記のような2つの問題点が明らかになった.これらについては,最近良質のバルクZnSe単結晶が作成されるようになったことから,それを適当な方位に切り出したものを試料とすることによって,解決が可能であると考えている.

GaAs(100) substrate ZnSe film thickness critical degree of thickness, thickness, growth, sample, room temperature, temperature Room temperature, temperature. In addition, the liquid is cooled to a temperature of 20K, and the above temperature is improved. In this study, it is important to confirm the existence of the active sites in ZnSe films for cyan emitting II-VI semiconductors. In this case, the optical spectrum of GaAs substrate and ZnSe film can be detected. As a result of this, we are looking for a way out of the box. The existence of ZnSe in this region is confirmed. Note that the above problem points are reserved, and the second is to determine the motion speed of the low temperature position. The low temperature of 100K and the middle of the 4-point curve shape increase the force of the sample. For example, the test sample is very small, and the motion of the test sample is very small. The GaAs substrate itself is naturally broken, and the sample orientation is bent, the force is broken, and the cause is examined. In this study, we found that ZnSe/GaAs(100) is a very important component of ZnSe. The most recent good quality ZnSe crystals were prepared in the appropriate orientation.