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STM-STS法による化合物半導体表面における吸着水素の表面変性効果に関する研究

STM-STS方法研究吸附氢对化合物半导体表面的表面改性效果

基本信息

批准号：
08750037
负责人：
内藤正路
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

表面・界面に存在する水素に関連した研究は、その物理的、化学的な性質を解明しようとする基礎的観点と水素終端表面に発現する新しい物性を半導体プロセスの低温化やデバイスの微小化に利用するという応用的観点の双方からその重要性が認識され、最近特に関心が高まっている。そこで、化合物半導体表面に水素原子が吸着したときの、水素による表面物性の変化を走査トンネル顕微鏡分光法(STM-STS)、イオン散乱分光法(ISS)によって調べた。以下に得られた知見や今後の予定を示す。1.清浄表面構造の解析化合物半導体(GaP(001))清浄表面の構造解析をSTM-STS及びISSを用いて行った。安定相といわれている4×2構造は、1ユニットセル当たり最表面に2つのGaダイマーと第3層目に1つのGaダイマーが存在することがわかった。さらにダイマー間距離は約0.27nmであることがわかった。2.水素吸着表面構造の解析水素吸着によるGaP(001)表面構造の変化の様子をSTM-STSを用いて解明することを試みた。水素曝露によって得られた表面は、4×2構造と2×4構造を持っていることがわかった。4×2構造は清浄表面と同じ周期性であるが、実際は異なった構造(zigzag構造)であった。2×4構造は1ユニットセル当たり3つのP原子ダイマーの存在を示唆する結果が得られた。今後、清浄表面及び水素終端表面上における金属薄膜成長様式について調べる予定である。

The existence of surface and interface and the relationship between hydrogen and water are studied and the physical and chemical properties are explained and the basic points and the terminal surface of water are revealed and the physical properties are new.をSemiconductor technology is used for low temperature reduction and miniaturization. Look at the importance of both sides of the point, the awareness of the importance, and the high level of concern recently.そこで、Hydrogen atoms adsorbed on the surface of compound semiconductors、Hydrogen によるsurface physical properties の変化をwalkthrough Micromirror spectroscopy (STM-STS), Scattered Scattered Spectroscopy (ISS), and STM-STS. The following is an indication of what we know and what we will do in the future. 1. Analysis of the clean surface structure of compound semiconductor (GaP (001)) Clean surface structure analysis of STM-STS and ISS. Stable phase といわれている4 × 2 structure は, 1 ユニットセル道たりmost surface に2つのGaダイマーと3rd floor itemに1つのGaダイマーがexistingすることがわかった. The distance between the two parts is about 0.27nm. 2. Analysis of the surface structure of hydrogen adsorption Hydrogen adsorption of GaP (001) Surface structure of GaP (001) Analysis of the surface structure of STM-STS is explained by the test method. The surface of the water is exposed to water, the structure of 4×2 and the structure of 2×4 are maintained. The 4×2 structure is a clean surface, the same periodic structure, and the zigzag structure (zigzag structure). 2×4 structureは1ユニットセルWhenたり3つのP atomsダイマーのexistenceをshows唆するRESULTがgetられた. From now on, the growth of metal thin films on the clean surface and the water terminal surface will be determined in a predetermined manner.