極低温高圧強磁場下の帯磁率測定による重い電子系遍歴磁性の研究

重い電子系化合物におけるメタ磁性、弱い遍歴磁性等の問題を明らかにするため極低温、高圧、強磁場下において、精密な物性測定を行う装置を開発している。この装置は脚長20トン高圧プレス、極低温クライオスタット及び超伝導磁石を組み合わせたものであり、圧力は常に一定に保持される定荷重方式を用いている。これまでに電気抵抗測定を圧力P<1.7GPa、磁場B<7T、温度2K〜室温の条件下で行うことに成功している。さらに、多重極限下において帯磁率測定を可能にするため装置の改良を行った。以下にこれまでに行った実験を示す。1電気抵抗測定:(1)複雑な磁気相図を示す重い電子系反強磁性体の電気抵抗測定を行い、転移点の圧力依存を調べ、圧力下の磁気相図を決定した。(2)金属-半導体転移をしめす強相関物質の圧力下の電気抵抗測定、磁気抵抗測定を行い転移点の圧力依存性を調べた。2帯磁率測定:(1)高圧下における帯磁率測定は高圧セル内部にピックアップコイルを設置した交流誘導法を用いる。このため、同軸線の導入等の圧力セルの改良を行った。(2)ロックインアンプを中心とした測定系の開発、及び可変式相互インダクタンス等の装置の作製を行った。(3)交流帯磁率測定用プログラムの開発を行った。今後は完成した測定システムを用い、SDW転移を示す重い電子系化合物を重点的に測定する予定である。

重い電子系化合物におけるメタ磁性、弱い遍歴磁性等の問題を明らかにするため極低温、高圧、強磁場下において、精密な物性測定を行う装置を開発している。この装置は脚長20トン高圧プレス、極低温クライオスタット及び超伝導磁石を組み合わせたものであり、圧力は常に一定に保持される定荷重方式を用いている。これまでに電気抵抗測定を圧力P<1.7GPa、磁場B<7T、温度2K〜室温の条件下で行うことに成功している。さらに、多重極限下において帯磁率測定を可能にするため装置の改良を行った。以下にこれまでに行った実験を示す。1電気抵抗測定:(1)複雑な磁気相図を示す重い電子系反強磁性体の電気抵抗測定を行い、転移点の圧力依存を調べ、圧力下の磁気相図を決定した。(2)金属-半導体転移をしめす強相関物質の圧力下の電気抵抗測定、磁気抵抗測定を行い転移点の圧力依存性を調べた。2帯磁率測定:(1)高圧下における帯磁率測定は高圧セル内部にピックアップコイルを設置した交流誘導法を用いる。このため、同軸線の導入等の圧力セルの改良を行った。(2)ロックインアンプを中心とした測定系の開発、及び可変式相互インダクタンス等の装置の作製を行った。(3)交流帯磁率測定用プログラムの開発を行った。今後は完成した測定システムを用い、SDW転移を示す重い電子系化合物を重点的に測定する予定である。