Study of quantum dot laser integrated optical device using ICP Ar Intermixing
ICP Ar 混合量子点激光集成光学器件的研究
基本信息
- 批准号:26820133
- 负责人:
- 金额:$ 2.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
イオン注入と熱処理による多重積層量子ドット組成混晶の集積素子への応用の検討
多层量子点复合混晶在离子注入和热处理集成器件中的应用研究
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松本 敦; 赤羽 浩一;坂本 高秀; 梅沢 俊匡; 菅野 敦史; 山本 直克;武井 勇樹,松井 信衞,松本 敦,赤羽 浩一,松島 裕一,石川 浩,宇髙 勝之
- 通讯作者:武井 勇樹,松井 信衞,松本 敦,赤羽 浩一,松島 裕一,石川 浩,宇髙 勝之
Ar Implantation Induced QD Intermixing for 1550nm-Band Highly-Stacked QD Photonic Integrated Devices
用于 1550nm 波段高度堆叠 QD 光子集成器件的 Ar 注入诱导 QD 混合
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Matsumoto;Y. Takei;T. Ozaki;K. Akahane;N. Yamamoto;T. Umezawa;T. Kawanishi;Y. Matsushima;and K. Utaka,
- 通讯作者:and K. Utaka,
光周波数コムを用いた歪補償多重積層InAsQD-SOAのパルス応答特性評価
使用光学频率梳评估应变补偿多层 InAsQD-SOA 的脉冲响应特性
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松本 敦; 赤羽 浩一;坂本 高秀; 梅沢 俊匡; 菅野 敦史; 山本 直克
- 通讯作者:山本 直克
Highly-Stacked Quantum Dot Intermixed Waveguide for All-Optical Logic Gate Devices
用于全光逻辑门器件的高度堆叠量子点混合波导
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Takei;T. Ozaki;A. Matsumoto;K. Akahane;Y. Matsushima;H. Ishikawa;and K. Utaka
- 通讯作者:and K. Utaka
Ar Implantation-Induced Quantum Dot Intermixing Technique for 1550 nm-Band Highly Stacked QD Photonic Integrated Circuit
1550 nm 波段高度堆叠量子点光子集成电路的 Ar 注入诱导量子点混合技术
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Matsumoto;Y. Takei;K. Akahane;S. Matsui;T. Umezawa;N. Yamamoto;Y. Matsushima;and K. Utaka,
- 通讯作者:and K. Utaka,
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Matsumoto Atsushi其他文献
Viscoelastic Properties of Semiflexible Polymers and Cellulose Nanofibers
半柔性聚合物和纤维素纳米纤维的粘弹性能
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kuray Preeya;Noda Takeru;Matsumoto Atsushi;Iacob Ciprian;Inoue Tadashi;Hickner Michael A.;Runt James;Inoue Tadashi;Inoue Tadashi;井上正志;井上正志;Tadashi Inoue;木下真寿美;井上正志;井上正志;井上正志 - 通讯作者:
井上正志
Microrheological Approach for Probing the Entanglement Properties of Polyelectrolyte Solutions
探测聚电解质溶液缠结特性的微流变学方法
- DOI:
10.1021/acsmacrolett.1c00563 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:7.015
- 作者:
Matsumoto Atsushi;Zhang Chi;Scheffold Frank;Shen Amy Q. - 通讯作者:
Shen Amy Q.
高分子レオロジー:からみ合いの物理化学
聚合物流变学:缠结的物理化学
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kuray Preeya;Noda Takeru;Matsumoto Atsushi;Iacob Ciprian;Inoue Tadashi;Hickner Michael A.;Runt James;Inoue Tadashi;Inoue Tadashi;井上正志 - 通讯作者:
井上正志
半屈曲性高分子溶液の緻密からみ合い系の粘弾性
半柔性聚合物溶液致密缠结系统的粘弹性
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kuray Preeya;Noda Takeru;Matsumoto Atsushi;Iacob Ciprian;Inoue Tadashi;Hickner Michael A.;Runt James;Inoue Tadashi;Inoue Tadashi;井上正志;井上正志;Tadashi Inoue;木下真寿美 - 通讯作者:
木下真寿美
セルロース誘導体およびセルロースナノファイバーの粘弾性特性
纤维素衍生物和纤维素纳米纤维的粘弹性能
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kuray Preeya;Noda Takeru;Matsumoto Atsushi;Iacob Ciprian;Inoue Tadashi;Hickner Michael A.;Runt James;Inoue Tadashi;Inoue Tadashi;井上正志;井上正志;Tadashi Inoue;木下真寿美;井上正志;井上正志;井上正志;井上正志;井上正志 - 通讯作者:
井上正志
Matsumoto Atsushi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Matsumoto Atsushi', 18)}}的其他基金
Establishment of a method for evaluating ability for listening of foreign language using EEG responses to spontaneous speech.
建立利用脑电图对自发言语反应评估外语听力能力的方法。
- 批准号:
20K00765 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elucidation of High Temperature Operation Mechanism of Newly Structured Semiconductor Laser and Application for Opto-Electronic Integrated Circuits
新型结构半导体激光器高温工作机理阐明及其在光电集成电路中的应用
- 批准号:
19K15056 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Elucidating the Unusual Charge Screening Effect on the Polymer Dynamics of Polymerized Ionic Liquids
阐明聚合离子液体聚合物动力学的异常电荷屏蔽效应
- 批准号:
19K15641 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Development of 3D model construction method using structure database and electron microscope images
利用结构数据库和电子显微镜图像开发3D模型构建方法
- 批准号:
18K06101 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Electrophysiological assessment of abilites in a foreign language.
外语能力的电生理评估。
- 批准号:
17K13519 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
半導体量子ドットの電子・核スピン相関時間と四極子効果の変調による核偏極の自在制御
通过调制半导体量子点中电子/核自旋相关时间和四极效应自由控制核极化
- 批准号:
24K08189 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
傾斜構造による量子ドット内エネルギー勾配形成と電荷分離の促進
量子点内能量梯度的形成以及梯度结构促进电荷分离
- 批准号:
23K23174 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
通过自主低温工艺同时实现硅量子点的高产率生产和高质量
- 批准号:
24K07564 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
伝導性有機量子ドットの位置制御のための有機分子混合電子線レジストの研究
导电有机量子点位置控制混合有机分子电子束抗蚀剂研究
- 批准号:
24K07575 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高輝度安定型量子ドットと革新的マイクロ細胞組織による光治療薬開発と1分子動態解明
使用高强度稳定量子点和创新微细胞组织开发光疗药物并阐明单分子动力学
- 批准号:
23K21067 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
価数制御とシェル構築による高性能Sn系Pbフリーペロブスカイト量子ドットの創出
通过价态控制和壳层构建制备高性能锡基无铅钙钛矿量子点
- 批准号:
24KJ0453 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
利用异质界面插入量子点实现红外敏化光电转换
- 批准号:
23K26142 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
表面配位子を起点とするペロブスカイト量子ドットの創発的表面保護とデバイス展開
来自表面配体的钙钛矿量子点的新兴表面保护和器件开发
- 批准号:
24KJ0450 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
優先的核発生の制御によるエピシェル型ペロブスカイト量子ドットの創成
通过控制优先成核创建外壳钙钛矿量子点
- 批准号:
23K23114 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)